[实用新型]半导体探测器有效

专利信息
申请号: 201621033858.9 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN206387912U 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司
主分类号: G01T1/00 分类号: G01T1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 倪斌
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 探测器
【权利要求书】:

1.一种半导体探测器,包括:

探测器晶体,包括晶体主体、阳极和阴极;

场增强电极,用于向探测器晶体施加电压;

绝缘材料,设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体探测器,其中所述绝缘材料覆盖所述场增强电极一侧的整个探测器晶体管表面。

3.根据权利要求1所述的半导体探测器,其中所述探测器晶体是碲锌镉晶体。

4.根据权利要求1所述的半导体探测器,还包括场增强电极电路板,所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层,其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入,所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的半导体探测器,其中所述场增强电极电路板还包括多个过孔,所述顶层和所述底部连接层通过所述过孔相连。

6.根据权利要求4所述的半导体探测器,其中所述顶层通过焊接贴片或者直接焊接与外部高压源相连。

7.根据权利要求4所述的半导体探测器,其中在所述顶层中设置滤波电路。

8.根据权利要求7所述的半导体探测器,其中所述滤波电路采用无源滤波。

9.根据权利要求7所述的半导体探测器,其中所述滤波电路设置于所述场增强电极电路板的顶层的边缘。

10.根据权利要求4所述的半导体探测器,其中所述场增强电极电路板是柔性电路板。

11.根据权利要求10所述的半导体探测器,其中在所述柔性电路板中设置滤波电路。

12.根据权利要求4所述的半导体探测器,其中所述顶层中还设置有分压电路,所述分压电路与独立电源一起向所述增强场电极电路板供电。

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