[实用新型]斜抛光纤低压传感器有效
| 申请号： | 201621035358.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206291985U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王鸣;郭余庆;王军;蒋伟;王读根 | 申请（专利权）人： | 江苏能建机电实业集团有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/24 | 分类号： | G01L1/24;G01L11/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 彭英,王美章 |
| 地址： | 225327 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 低压 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种斜抛光纤低压传感器，其特征在于，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅-硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里-珀罗腔。
2.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，光纤反射面的倾角为45°。
3.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，所述光纤反射面镀银膜；银膜厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，V型光纤槽、硅敏感膜均基于硅片腐蚀工艺制成。
5.根据权利要求1所述的斜抛光纤低压传感器，其特征在于，所述斜抛光纤端面所具有的光纤反射面是通过斜抛光纤工艺制成。
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