[实用新型]一种射频馈电保护电路有效

专利信息
申请号: 201621041908.8 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN206164073U 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 白孝涛;陈观玉 申请(专利权)人: 京信通信技术(广州)有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02J50/20
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 510663 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 馈电 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及射频电路领域,尤其涉及一种射频馈电保护电路。

背景技术

射频(RF,Radio Frequency)专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波。射频发射电路一般由带通滤波器、发射混频器、功率放大器、功率控制、天线开关等组成,它将66.768KHz的模拟基带信号上变频为890-915MHz的发射信号,并进行功率放大,使信号从天线发射出去。射频馈电很多场合都有所应用,尤其有源天线馈电在通信设备中应用非常广泛。

一般在射频馈电电路中,通常会利用开关元件,例如MOS管来控制射频电路的开关状态。通常情况下,射频馈电电源输出端若出现正负极短路、过流时,不及时关断开关原件会出现过热烧坏器件及传输线情形,会造成财产损失甚至危及人身安全。

现有技术中,在射频馈电短路保护技术方面,大多采用集成芯片限流保护,但是利用集成芯片进行限流保护时,成本较高,馈电电路的损耗较大,并且导致外围电路信号传输匹配性不佳。

实用新型内容

本实用新型提供一种射频馈电保护电路,用于解决现有技术中利用集成芯片进行限流保护时,成本较高,馈电电路的损耗较大,并且导致外围电路信号传输匹配性不佳的问题。

本实用新型实施例提供一种射频馈电保护电路,包括:

开关电路,第一开关控制电路、第二开关控制电路;

所述开关电路的第二端与电压输入端相连,第三端与电压输出端及射频电路相连,所述开关电路根据所述开关电路第一端的电压来控制所述开关电路为开启或闭合状态,从而控制电压输入端向射频电路输出电压;

所述第一开关控制电路的第一端与所述电压输出端相连,所述第一开关控制电路的第二端与所述开关电路的第一端相连,所述第一开关控制电路用于根据所述射频电路短路时所述电压输出端的输出电压,控制所述开关电路第一端的电压为使所述开关电路闭合的电压,从而闭合开关电路;

所述第二开关控制电路,与所述开关电路的第一端连接,所述第二开关控制电路用于在所述射频电路正常工作时,控制所述开关电路第一端的电压为使所述开关电路开启的电压,从而开启开关电路。

进一步地,所述第一开关控制电路包括第一三极管,所述第一三极管的第一端与所述电压输出端连接,所述第一三极管的第二端与所述电压输入端相连,所述第一三极管的第三端与所述开关电路的第一端相连。

进一步地,所述第一开关控制电路还包括自所述电压输入端至接地端依次串联的第一电容、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管的第一端与位于所述第一电容与所述第一电阻之间的第一节点连接,所述电压输出端与位于所述第一电阻和所述第二电阻之间的第二节点连接,从而通过所述第一电阻与所述第一三极管的第一端连接。进一步地,所述第一三极管为P型三极管PNP,所述第一三极管的第一端为所述PNP的基极,所述第一三极管的第二端为所述PNP的发射极,所述第一三极管的第三端为所述PNP的集电极。进一步地,所述开关电路包括开关晶体管,所述开关晶体管为P型金属氧化物半导体PMOS管,所述开关电路的第一端为所述PMOS管的栅极,所述开关电路的第二端为所述PMOS管的源极,所述开关电路的第三端为所述PMOS管的漏极。进一步地,所述开关电路还包括位于所述开关电路的第一端和所述开关电路的第二端之间并联的第三电阻和第二电容,所述第二电容用于在所述电压输入端掉电时进行放电,为所述开关电路的第一端和第二端提供电压,对所述开关电路进行缓冲保护。

进一步地,所述电路还包括:

控制电压输入端,与所述第二开关控制电路连接,用于向所述第二开关控制电路输入控制电压,以使所述第二开关控制电路能够保持开启状态,并在所述射频电路正常工作时,控制所述开关电路第一端的电压,以使所述开关电路为开启状态。

进一步地,所述第二开关控制电路包括:第二三极管,所述第二三极管的第一端与所述开关电路的第一端连接,所述第二三极管的第二端与所述控制电压输入端连接,所述第二三极管的第三端接地。

进一步地,所述第二开关控制电路还包括:位于所述控制电压输入端与所述第二三极管的第二端之间的第四电阻,位于所述控制电压输入端与另一接地端之间的第五电阻,位于所述第二三极管第一端与所述开关电路的第一端之间的第六电阻。进一步地,所述第二三极管为N型三极管NPN,所述NPN的基极为所述第二三极管的第二端,所述NPN的集电极为所述第二三极管的第一端,所述NPN的发射极为所述第二三极管的第三端。

进一步地,所述电路还包括:

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