[实用新型]一种三电平I型拓扑无功补偿装置有效
| 申请号： | 201621046114.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN206148954U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘佰莹;彭华良;刘青松 | 申请（专利权）人： | 上海追日电气有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18;H02J3/01 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200333 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电平 拓扑 无功 补偿 装置 | ||
1.一种三电平I型拓扑无功补偿装置，包括补偿模块，所述补偿模块包括有三个补偿相，每一所述补偿相包括第一三电平I型功率模块，每一所述第一三电平I型功率模块包括四个第一全控晶体管，还包括驱动电路，所述驱动电路分别连接四个第一全控晶体管，以分别驱动所述第一全控晶体管工作，其特征在于，每一所述补偿相包括第二三电平I型功率模块，所述第二三电平I型功率模块与所述第一三电平I型功率模块的电路结构相同，所述第二三电平I型功率模块包括四个第二全控晶体管；于一补偿相中，位于同一位置的第一全控晶体管和第二全控晶体管以相同的连接方式连接于所述驱动电路。
2.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，于一补偿相中的驱动电路设置有光耦隔离器。
3.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，每一所述第一全控晶体管反并联有一二极管。
4.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，每一所述第二全控晶体管反并联有一二极管。
5.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，所述第一三电平I型功率模块和所述第二三电平I型功率模块均选为额定电流为200A的IGBT模块。
6.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，所述第一三电平I型功率模块和所述第二三电平I型功率模块均选为额定电压为650V的IGBT模块。
7.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，于一所述第一三电平I型功率模块中，包括第一上桥臂和第一下桥臂，所述第一上桥臂和所述第一下桥臂分别包括两个并联设置的所述第一全控晶体管；
于一所述第二三电平I型功率模块中，包括第二上桥臂和第二下桥臂，所述第二上桥臂和所述第二下桥臂分别包括两个并联设置的所述第二全控晶体管。
8.根据权利要求7所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，所述第一上桥臂和所述第一下桥臂串联设置；所述第二上桥臂和所述第二下桥臂串联设置。
9.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，所述第一全控晶体管的基极和所述第二全控晶体管的基极分别连接对应的所述驱动电路。
10.根据权利要求1所述的一种三电平I型拓扑无功补偿装置，其特征在于，所述第一全控晶体管的发射极和所述第二全控晶体管的发射极分别连接对应的所述驱动电路。
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