[实用新型]一种提高等离子刻蚀终点控制灵敏度的二次电离装置有效
| 申请号： | 201621048086.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN206076198U | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/10 | 分类号： | H01J49/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区郭*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 等离子 刻蚀 终点 控制 灵敏度 二次 电离 装置 | ||
【说明书】：
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