[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：

衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面，及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的横向衬底表面；

半导体裸片，其具有顶部裸片表面、底部裸片表面，及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的横向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；

金属柱，其具有顶部柱表面、底部柱表面，及在所述顶部柱表面与所述底部柱表面之间延伸的横向柱表面，其中所述底部柱表面是用粘着构件耦合到所述顶部衬底表面，且定位在由所述半导体裸片覆盖的所述顶部衬底表面的区域外部；及

封装材料，其封装所述横向裸片侧表面的至少一部分及所述横向柱表面的至少一部分。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述粘着构件包括焊料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述顶部柱表面与所述顶部裸片表面共面。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中所述顶部柱表面与所述封装材料的顶部表面共面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述顶部柱表面与所述封装材料的顶部表面共面。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其包括上部衬底，所述上部衬底具有顶部上部衬底表面、底部上部衬底表面，及在所述顶部上部衬底表面与所述底部上部衬底表面之间延伸的横向上部衬底表面。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，其中所述上部衬底包括与所述金属柱一体地形成的底部导电图案。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中所述金属柱镀覆在所述导电图案上。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中所述上部衬底包括顶部导电图案，所述顶部导电图案直接地定位在所述金属柱上方且与所述底部导电图案及所述金属柱一体地形成。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，其中所述横向裸片表面中的每一者与所述横向衬底表面中的相应横向衬底表面及所述横向上部衬底表面中的相应横向上部衬底表面共面。