[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；

第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；

内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；

控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上；以及

所述控制电极上的层间绝缘膜，

所述控制电极由多晶硅膜构成，

所述层间绝缘膜具有：

第1层间绝缘膜，该第1层间绝缘膜的材质在与所述控制电极接触时使所述控制电极的导电性变化；以及

第2层间绝缘膜，其配置在所述控制电极与所述第1层间绝缘膜之间，使得所述控制电极的导电性不变。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有底面电极，该底面电极与所述控制电极绝缘分离地配置在所述槽的底面的所述内壁绝缘膜上，

所述层间绝缘膜将所述控制电极和所述底面电极之间绝缘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1层间绝缘膜由BPSG膜构成，所述第2层间绝缘膜由NSG膜构成。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有配置在所述第2层间绝缘膜和所述控制电极之间的热氧化膜。

5.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；

第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；

内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；

控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上，由多晶硅膜构成；

底面电极，其与所述控制电极绝缘分离地配置在所述槽的底面的所述内壁绝缘膜上；

第1层间绝缘膜，其填埋在所述槽的内部，由BPSG膜构成，将所述控制电极和所述底面电极之间绝缘；以及

第2层间绝缘膜，其配置在所述控制电极和所述第1层间绝缘膜之间，抑制磷的扩散，

从所述控制电极的下表面的至少一部分到所述槽的所述底面的距离，比从所述底面电极的下表面的至少一部分到所述槽的所述底面的距离长。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2层间绝缘膜由NSG膜构成。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有配置在所述第2层间绝缘膜和所述控制电极之间的热氧化膜。

8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极的所述下表面的位置比所述底面电极的上表面的位置靠下。

9.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极的所述下表面以如下方式形成为楔面：所述控制电极的所述下表面与所述槽的所述底面之间的距离随着接近所述槽的所述侧面而变短。

10.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极为如下的梯形状：所述底面电极的膜厚随着接近所述槽的所述侧面而变薄。

11.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

从所述底面电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离在所述底面电极的所述下表面中，在中央区域比在周边区域长。

12.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时，所述槽的延伸方向上的长度比所述槽的宽度长，而且所述槽的宽度比相邻的所述槽的间隔宽。

13.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述内壁绝缘膜的膜厚在被配置于所述槽的所述底面的区域中、比被配置于所述槽的所述侧面的区域厚。