[实用新型]一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池

权利要求书

1.一种基于Si/NiO_x异质结的晶体硅太阳电池，其特征是包括前电极、NiO_x层、晶体硅吸收层、背电场、背电极；其结构从迎光面开始依次为：前电极、NiO_x层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征是所述的NiO_x层为p型掺杂。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征是所述的晶体硅吸收层为n型或p型掺杂。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征是所述的背电场为以下三种形式：n型掺杂层加氮化硅钝化层，或者本征非晶硅钝化层加n型非晶硅重掺杂层，或者n型掺杂的TiO_x层。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征是所述的前电极包含透明导电层和金属栅状电极。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征是所述的背电极为透明导电层和金属栅状电极，或者金属栅状电极。