[实用新型]电子器件有效
申请号: | 201621056793.X | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN206412356U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | G·M·格里弗纳 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/762;H01L21/768 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
技术领域
本公开涉及电子器件。
背景技术
隔离结构用来控制可存在于管芯内的高电场。隔离结构可包括交替的n型区和p型区、绝缘层或它们的组合。交替的区域可限制电子器件的设计灵活性。在另一实施方案中,可使用两个绝缘层和单个掩模来形成大的隔离区。大的隔离区可能需要沉积大量绝缘材料并且限制设备生产量。人们期望的是电子器件的进一步改进、设计的灵活性以及高的设备生产量。
实用新型内容
现有技术中,需要电子器件的进一步改进、设计的灵活性以及高的设备生产量。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种电子器件,该电子器件包括:衬底;被衬底横向地包围的绝缘结构;以及被绝缘结构和衬底横向地包围的第一导电结构或有源区域,其中第一导电结构或有源区域与衬底在横向上间隔开至少4微米。
在另一实施方案中,该电子器件还包括嵌于第一导电结构内的多个绝缘柱。
在又一实施方案中,该电子器件还包括第二导电结构,其中该电子器件包括被第二导电结构横向地包围的第一导电结构。
在具体实施方案中,第一导电结构和第二导电结构中的每一者主要是:(1)元素金属或金属合金或者(2)半导体材料,并且第一导电结构和第二导电结构具有不同的主要组分。
在另一实施方案中,该电子器件包括有源区域,有源区域包括半导体材料。
在又一实施方案中,第一导电结构包括含有嵌入式空隙的导电材料。
根据本实用新型的另一方面,提供了一种电子器件,该电子器件包括:含有嵌入式空隙的绝缘结构;以及被绝缘结构横向地包围的电感器,该电感器具有芯,该芯包括绝缘材料或磁性材料但不包括半导体衬底的任何部分。
在另一实施方案中,该电感器为螺线管。
在具体实施方案中,该螺线管具有包含磁性材料的芯。
在另一实施方案中,该电感器为平面螺旋电感器。
根据本公开的至少一个实施例,可以提供电子器件的进一步改进、设计的灵活性和/或高的设备生产量。
附图说明
在附图中以举例说明的方式示出实施方案,而实施方案并不受限于附图。
图1包括工件的一部分的顶视图的图示,该工件包括绝缘结构,该绝缘结构具有沿绝缘结构的相对侧的锚。
图2包括工件的一部分的顶视图的图示,该工件包括一对绝缘结构,每个绝缘结构均具有带经剪切的外缘拐角的光滑外侧,以及带有锚的内侧。
图3至图8包括柱和锚的示例性形状的顶视图的图示。
图9和图10分别包括在将衬底图案化以限定沟槽之后工件的一部分的剖视图和顶视图的图示。
图11包括在沟槽内形成具有嵌入式空隙的绝缘层之后图10的工件的剖视图的图示。
图12包括在将绝缘层图案化之后图11的工件的顶视图的图示。
图13至图15包括在去除柱的用以限定腔体的多个部分之后,图12的工件在与图12所示位置相比不同的位置处的视图的图示。
图16和图17包括在腔体内形成具有嵌入式空隙的另一绝缘层之后,图13至图15的工件的多个部分的剖视图的图示。
图18包括可在工件的有源区域内形成的示例性部件的剖视图的图示。
图19包括被绝缘结构横向地包围的贯穿衬底通孔的平面图。
图20包括被绝缘结构横向地包围的同轴导体的平面图。
图21包括螺线管的平面图。
图22包括平面螺旋电感器的平面图。
图23和图24包括螺线管的平面图,每个螺线管具有包含磁性材料的芯。
图25包括在切割之前呈晶圆形式的分立电感器的平面图。
技术人员认识到附图中的元件为了简明起见而示出,而未必按比例绘制。例如,附图中一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大,以有助于理解本实用新型的实施方案。
具体实施方式
提供以下与附图相结合的说明以帮助理解本文所公开的教导。以下讨论将着重于该教导的具体实现方式和实施方案。提供该着重点以帮助描述所述教导,而不应被解释为对所述教导的范围或适用性的限制。然而,当然可在本申请中使用其他教导。虽然在本文中描述了数值范围以更好地理解具体实施方案,但是在阅读本说明书之后,本领域技术人员将理解,可在不脱离本实用新型的范围的情况下使用所述数值范围之外的值。在下文定义的术语不同于US 8492260中的术语的情况下,在本文件中以下文定义的术语为准。
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