[实用新型]一种晶圆级封装定位机构有效
申请号: | 201621058048.9 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN206379339U | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 周东平 | 申请(专利权)人: | 上海晶鼎光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200082 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 封装 定位 机构 | ||
1.一种晶圆级封装定位机构,其特征在于,包括:
第一定位标记,设置于待定位的第一晶圆上;
第二定位标记,设置于待定位的第二晶圆上;
所述第一晶圆和所述第二晶圆平行层叠设置,以使定位完成后所述第一定位标记和所述第二定位标记呈重合状;
红外光源,设置于所述第一晶圆和所述第二晶圆一侧,以提供红外光信号;
红外探测器,设置于所述第一晶圆和所述第二晶圆另一侧,以监测透过所述第一晶圆和所述第二晶圆的红外光信号;
图像显示系统,与所述红外探测器电性连接,以根据所述红外探测器反馈的红外光信号形成至少包括所述第一定位标记和所述第二定位标记的图像。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装定位机构,其特征在于,所述红外光源为红外发光二极管、红外激光二极管、红外激光、氙灯、汞灯、卤素灯、钨灯中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装定位机构,其特征在于,所述红外光信号为波长大于或等于一微米且小于三微米的红外光。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装定位机构,其特征在于,所述红外光信号为波长大于或等于三微米且小于或等于五微米的红外光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造