[实用新型]一种应用于太赫兹波段的1‑比特双频段电磁编码超材料有效

专利信息
申请号: 201621059903.8 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN206441876U 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 崔铁军;刘硕;张磊 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 张耀文
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 赫兹 波段 比特 双频 电磁 编码 材料
【权利要求书】:

1.一种应用于太赫兹波段的1-比特双频段电磁编码超材料,其特征在于:包括一个以上的超级子单元,所述超级子单元主要由N×N个基本单元结构组成,N为非零正整数;所述基本单元结构包括从上到下依次设置的第一工字型金属层(1)、第一介质层(4)、第二工字型金属层(2)、第二介质层(3)以及零透射金属层(5)。

2.根据权利要求1所述的一种应用于太赫兹波段的1-比特双频段电磁编码超材料,其特征在于:所述基本单元结构包含4种单元结构,4种单元结构的几何参数如下:

其中:H1为第二工字型金属层的工字型金属结构的臂长,H2为第一工字型金属层的工字型金属结构的臂长,0和1为两种数字态响应,0数字态响应对应反射相位0°,1数字态响应对应反射相位180°,斜线前的数字表示在低频太赫兹波照射下的反射相位数字态,斜线后的数字表示在高频太赫兹波照射下的反射相位数字态;0/0、0/1、1/0、1/1这4种不同数字态编码对应4种单元结构;

所述基本单元结构按照相应的数字编码矩阵排列在二维平面上形成超级子单元。

3.根据权利要求1所述的一种应用于太赫兹波段的1-比特双频段电磁编码超材料,其特征在于:所述第一介质层(4)的厚度为10μm,所述第二介质层(3)的厚度为15μm,两个介质层的介电常数为3.00,损耗角正切为0.09。

4.根据权利要求1所述的一种应用于太赫兹波段的1-比特双频段电磁编码超材料,其特征在于:所述基本单元结构的单元周期长度P为70μm。

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