[实用新型]一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器

权利要求书

1.一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，包括无掺杂的本征半导体敏感区(105)，所述本征半导体敏感区(105)的一侧表面通过重掺杂形成P型区(106)，所述本征半导体敏感区(105)的另一侧表面通过重掺杂形成N型区(107)，所述P型区(106)远离本征半导体敏感区(105)一侧的表面上设置有背面电极(108)，其特征在于，所述本征半导体敏感区(105)和N型区(107)部分采用浅沟槽隔离结构被隔离为沿X射线能谱探测器宽度方向具有2个以上的像素单元的结构，每一个所述的像素单元的N型区(107)远离本征半导体敏感区(105)一侧的表面上由上至下设置有长度依次递增的第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)，所述每一个像素单元的第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)分别各依次通过一个整形滤波器(109)和一个电荷积分器(110)共同连接本像素单元中的集成电路处理器(111)，每一个所述的像素单元的上端表面构成X射线(104)的入射面。

2.根据权利要求1所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，所述的浅沟槽隔离结构是在所述本征半导体敏感区(105)和N型区(107)部分长度方向形成有1个以上的浅沟隔离槽，每一个所述的浅沟隔离槽内都嵌入有绝缘层(112)。

3.根据权利要求2所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，所述浅沟隔离槽的槽底位于本征半导体敏感区(105)的厚度之间。

4.根据权利要求1所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，所述第一正面电极(101)的长度为：1cm～1.5cm，所述第二正面电极(102)的长度为：1.5cm～2.0cm，所述第三正面电极(103)的长度为：2.5cm～3.0cm。

5.根据权利要求1所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，所述第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)的厚度相同，均为0.0001cm～0.0005cm。

6.根据权利要求1所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，所述第一正面电极(101)、第二正面电极(102)和第三正面电极(103)的宽度相同，均为0.02cm～0.07cm。

7.根据权利要求1所述一种多电极的能量积分型X射线能谱探测器，其特征在于，由所述背面电极(108)、P型区(106)、本征半导体敏感区(105)、N型区(107)和正面电极构成的X射线能谱探测器的线阵长度为5cm～6cm；宽度为3×0.02cm～3×0.07cm；，厚度为0.05cm～0.06cm。