[实用新型]电介质绝缘磁极螺旋抗弧MOA压敏电阻器有效
申请号: | 201621061010.7 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN206148198U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 肖小驹 | 申请(专利权)人: | 深圳市辰驹电子科技有限公司 |
主分类号: | H01C7/12 | 分类号: | H01C7/12;H01C1/14;H01C1/144 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人: | 黄良宝 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 绝缘 磁极 螺旋 moa 压敏电阻 | ||
技术领域
本实用新型公开一种压敏电阻器,特别是一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧MOA压敏电阻器。
背景技术
MOV拉弧起火一直是压敏制造行业头疼的问题,其拉弧起火主要原因是:
压敏电阻的启动电流都是在毫安mA级别下就可以启动工作/拉弧,而电器路中里面所有的保险丝断开熔断器的断开时的工作电流都是在安培A级别下才启动断开保护,故而在电路自身产生的操作过电压(尤其电路中感性电路真空开断的电路如变频电路使其更容易产生)形成持续的谐振电压,它就可以使压敏电阻启动工作后,电路的工频电流持续加在压敏电阻上,当超过压敏电阻的工频耐受的承受范围,会引起毫安级别下压敏电阻开始拉弧起火,其弧外温度在1500-1600℃,弧中心温度达2500-3500℃,电路中的其它保护器件根本来不及反应,从而带来巨大的财产损失甚至危及生命,这种拉弧起火还不包括整体电器外部环境的电力系统里的过电压过电流(雷电直击感应)的影响部分。
在浪涌脉冲下,由于趋肤效应的影响,普通压敏的电流只在芯片外环状区通过,芯片中心成为空白,整体芯片的电流通过量大大减少,从而使得芯片的电性能整体没有得以充分发挥,同时也埋下了拉弧起火的弊端。
传统MOV的金属导线电极不合理的直线L式设计带来的种种弊端陈列如下:
1)电路的电流不能平稳引出到芯片电极表面,在L电极拐弯处形成电流应力冲击,L电极端头,由于尖端电场效应,这个部位的电场强度较高.
2)工频下芯片电极的涂银层水平电流密度不均匀,引起芯片电极面温度不一。中心部位电流密度高于周边部位;通常热击穿便多发生在这个部位;
3)在通过电流时,直线L式金属导体会产生热胀变形,导体电极膨胀沿导线累积,拉扯芯片的涂银层,造成破坏。
4)对芯片的散热性也不好。
5)引线端头呈开放性布置在芯片边缘,很容易形成芯片在引线端头附近拉弧穿孔。
实用新型内容
针对上述提到的现有技术中的压敏电阻器容易产生拉弧的问题,本实用新型提供一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧MOA压敏电阻器,其采用螺旋线形的电极,可有效解决拉弧的问题。
本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是:一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧MOA压敏电阻器,压敏电阻器的芯片本体上设有电极,电极采用螺旋线形电极。
本实用新型解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括:
所述的芯片本体两侧设有涂银层,螺旋线形电极固定设置在芯片本体两侧得涂银层上。
所述的螺旋线形电极采用焊接的方式设置在涂银层上。
所述的螺旋线形电极在芯片本体内埋置。
所述的螺旋线形电极的引出端头设置在芯片本体边沿位置处或芯片本体的中心位置处,或设置在螺旋线形电极中的任意位置。
所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线、平面等速螺旋线或无断开端头的双螺旋线。
所述的芯片本体两侧的螺旋线形电极朝向同一方向旋转,或者朝向不同方向旋转。
所述的螺旋线形电极采用空心金属螺旋线或者采用扁平金属螺旋引线。
本实用新型的有益效果是:累计冲击电流实验中,螺旋式芯片很少炸裂,螺旋式的失效温度为:106C,工频电压耐受升压实验伏秒(U-t)特性热击穿与电化学击穿试验中,螺旋引线在升压测试中能承受更高的工频电压,与直引线压敏电阻相比高10V-20V,加压比Rap(荷电率)最高可达1.33倍,螺旋式电极承受的最高温度在112-174C范围,且未见拉弧起火,只是引线掉芯片参数全无。螺旋式的芯片实验在50~180℃区间的实验中,没有出现过明火、没有出来一次的拉弧燃烧的现象发生,螺旋式MOV不仅有高3-4倍的能量吸收能力,而且能持续持久的MOV的抗拉弧燃烧的能力,持续抗过电压时间是直线L式的1.7-2.0倍,在150℃~174℃,完全超出了业界压敏电阻的承受温度的范围磁螺旋技术的有效性。
下面将结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例一立体结构示意图。
图2为本实用新型实施例二立体结构示意图。
图3为本实用新型导通时电子元器件体表电流分布示意图。
图4为现有技术中的压敏电阻导通时芯片体表电流分布示意图。
图5为本实用新型导通时电子元器件体内电流分布示意图。
图6为现有技术中的压敏电阻导通时芯片体内电流分布示意图。
图7为现有技术中的直线L式电子元器件电流导通路径与长度比较图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市辰驹电子科技有限公司,未经深圳市辰驹电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621061010.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。