[实用新型]一种具有特殊副栅线结构的太阳能电池片有效
申请号: | 201621070029.8 | 申请日: | 2016-09-22 |
公开(公告)号: | CN206134693U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 曹韵;陶智华;石磊;郑飞;林佳继;张忠卫;阮忠立;许卓 | 申请(专利权)人: | 上海神舟新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 201112 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 特殊 副栅线 结构 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片,尤其是涉及一种具有特殊副栅线结构的太阳能电池片。
背景技术
随着全球能源危机的日益严重,开发研制新能源成为当今能源领域一个主要课题。太阳能以其无污染、取之不竭以及无地域性限制等特点成为新能源开发研制的一个主要对象。利用太阳电池进行光伏发电是当今利用太阳能的一个主要方式。太阳能电池的载体是硅片,根据其硅片制作工艺中掺杂类型的不同分为P型太阳能电池和N型太阳能电池。其中,N型太阳能电池由于比P型太阳能电池性能表现更为稳定,具有更长的少子寿命,以及大幅降低的光衰特性,因此逐渐成为光伏行业的一个主要研制课题。
N型太阳能电池在太阳能电池的生产制造过程中,基本围绕着两个重点,一个是提高太阳能电池的光电转换效率,另一个是降低太阳能电池的生产成本。目前,在N型太阳能电池片的生产过程中,主要采用丝网印刷的工艺来制作正面和背面的电极。
N型太阳能电池作为N型太阳能电池中的一种类型,在优化过程中尝试应用二次印刷技术,在两次印刷过程中分别选用不同的浆料,下层浆料印刷副栅线,通过接下来的烧结工艺与电池表面形成欧姆接触;上层浆料则主要起到堆高副栅线高度,增加副栅线截面增加电流传导性,同时由于其不会形成欧姆接触的特性,印刷主栅线时大幅降低了接触面产生的复合。通过此项先进的二次印刷工艺,提升整体电性能表现。但是如何减少欧姆接触区域仍然是现在亟待解决的技术问题之一。
实用新型内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种具有特殊副栅线结构的太阳能电池片,通过下层副栅线的规律性断开式分布,使得欧姆接触区域减少,结合上层浆料的连续性覆盖保证了副栅线电流传导的连续。同时下层副栅线在主栅线叠加位置断开,使得欧姆接触区域进一步减少,主栅线只由不会产生欧姆接触的上层浆料印刷,确保与副栅线相连以保证电流传导。通过上述特殊结构工艺,使得较传统二次印刷工艺欧姆接触产生的复合大幅降低,提升了Voc数值,最终使得光电转换效率提升。此实用新型由于断开式的下层副栅线设计减少了浆料印刷耗用,还带来了工艺成本的降低。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种具有特殊副栅线结构的太阳能电池片,包括相互垂直印刷的主栅线及副栅线,采用二次印刷工艺,副栅线包括相互叠加的下层副栅线和上层副栅线,分别为第一次和第二次印刷两者的叠加,上层副栅线为连续直线结构,主栅线仅印刷一次,为第二次印刷,印刷在下层副栅线上,下层副栅线呈规律性断开式分布的虚线结构。
下层副栅线的断开处的数量为50-200处,其中,下层副栅线在与主栅线叠加的位置保持为断开式结构,该断开式结构的宽度不大于主栅线的宽度。
下层副栅线的断开处的宽度为0.1-2.0mm。
各条副栅线相互平行。
各条主栅线为相互平行与副栅线呈垂直交错的连续直线结构,与下层副栅线接触连接,二次印刷的上层副栅线为连续的直线结构,进一步导通下层副栅线与主栅线之间的连接。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1、由于与电池表面解除形成欧姆接触的下层副栅线印刷做了规律性断开式分布,接触面积有效减少,减少部分降低了电池表面复合,提升Voc并提升光电转换效率;
2、下层浆料在主栅线下断开部分避免了欧姆接触,进一步降低电池表面复合,提升Voc并提升光电转换效率;
3、下层副栅线自体规律性断开和主栅线叠加位置的断开,有效减少了断开部分的下层浆料耗用,降低了印刷工艺成本。
附图说明
图1为现有的太阳能电池的结构示意图;
图2为印刷有下层副栅线的本实用新型的结构示意图;
图3为印刷有主栅线和上层副栅线的本实用新型的结构示意图;
图4为图2中方框处的局部放大图。
图中,1-主栅线、2-下层副栅线、3-断开处、31-叠加断开处、4-上层副栅线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
对比例
现有的太阳能电池的结构如图1所示,可以采用二次印刷技术,首先在晶硅片上印刷相互平行呈直线分布的副栅线,副栅线为连续的直线结构,然后在副栅线的上层印刷主栅线1,主栅线1与副栅线相互垂直。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的