[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201621073091.2 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN206271661U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;吴迪;刘钺杨;何延强;董少华;徐哲;和峰;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管包括有源区、终端区和N型缓冲层；
所述N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与所述N+阴极区接触；
所述有源区包括多个P型掺杂区；
所述终端区包括一个P型掺杂区；
所述P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且所述P型掺杂区的上边界与所述N型缓冲层的上边界之间的距离为1-20um。
2.如权利要求1所述的一种快恢复二极管，其特征在于，
所述有源区的P型掺杂区的面积与所述有源区的底部面积之比为0.1～0.5；
所述终端区的P型掺杂区的面积与所述终端区的底部面积相同。
3.如权利要求1所述的一种快恢复二极管，其特征在于，
所述终端区还包括保护环和截止环；
所述保护环为P型保护环，所述截止环为N型截止环。
4.如权利要求1所述的一种快恢复二极管，其特征在于，
所述快恢复二极管还包括金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
