[实用新型]一种混合储能装置

权利要求书

1.一种混合储能装置，其特征在于包括脉冲宽度调制电路、死区延时驱动电路、功率开关电路、采样比较电路、超级电容电路和铅酸电池，所述的功率开关电路具有电源端、第一输入端、第二输入端和输出端，所述的死区延时驱动电路具有输入端、第一输出端和第二输出端，所述的铅酸电池的正极和所述的功率开关电路的电源端连接，所述的铅酸电池的负极接地，所述的采样比较电路的输出端和所述的脉冲宽度调制电路的输入端连接，所述的脉冲宽度调制电路的输出端和所述的死区延时驱动电路的输入端连接，所述的死区延时驱动电路的第一输出端和所述的功率开关电路的第一输入端连接，所述的死区延时驱动电路的第二输出端和所述的功率开关电路的第二输入端连接，所述的功率开关电路的输出端分别与所述的超级电容电器的输入端和所述的采样比较电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种混合储能装置，其特征在于所述的功率开关电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第一电感和第一电容；所述的第一二极管的负极和所述的第一电阻的一端连接且其连接端为所述的功率开关电路的第一输入端，所述的第二二极管的负极和所述的第二电阻的一端连接且其连接端为所述的功率开关电路的第二输入端，所述的第一二极管的正极、所述的第一电阻的另一端和所述的第一NMOS管的栅极连接，所述的第一NMOS管的漏极为所述的功率开关电路的电源端，所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的漏极和所述的第一电感的一端连接，所述的第二NMOS管的源极和所述的第一电容的一端均接地，所述的第二NMOS管的栅极、所述的第二二极管的正极和所述的第二电阻的一端连接，所述的第一电感的另一端和所述的第一电容的另一端连接且其连接端为所述的功率开关电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种混合储能装置，其特征在于所述的超级电容电路包括第二电感、第二电容、第三电容、第三电阻和第四电阻；所述的第二电感的一端和所述的第二电容的一端连接且其连接端为所述的超级电容电路的输入端，所述的第二电感的另一端和所述的第三电阻的一端连接，所述的第三电阻的另一端分别与所述的第四电阻的一端和所述的第三电容的一端连接，所述的第二电容的另一端、所述的第四电阻的另一端和所述的第三电容的另一端均接地。

4.根据权利要求1所述的一种混合储能装置，其特征在于所述的采样比较电路包括型号为LM741的第一芯片、型号为LM741的第二芯片、型号为LM741的第三芯片、第一滑动变阻器、第二滑动变阻器、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻和第四电容；所述的第一滑动变阻器的一端为所述的采样比较电路的输入端，所述的第一滑动变阻器的另一端接地，所述的第一滑动变阻器的滑动端和所述的第一芯片的第3脚连接，所述的第一芯片的第2脚、所述的第一芯片的第6脚和所述的第七电阻的一端连接，所述的第一芯片的第4脚接入-15V电压，所述的第一芯片的第7脚接入+15V电压，所述的第五电阻的一端接入+12V电压，所述的第五电阻的另一端、所述的第六电阻的一端和所述的第二芯片的第3脚连接，所述的第六电阻的另一端接地，所述的第二芯片的第2脚、所述的第二芯片的第6脚、所述的第八电阻的一端和所述的第四电容的一端连接，所述的第二芯片的第4脚接入-15V电压，所述的第二芯片的第7脚接入+15V电压，所述的第七电阻的另一端、所述的第九电阻的一端和所述的第三芯片的第3脚连接，所述的第九电阻的另一端接地，所述的第八电阻的另一端、所述的第四电容的另一端、所述的第十电阻的一端和所述的第三芯片的第2脚连接，所述的第十电阻的另一端和所述的第三芯片的第6脚连接且其连接端为所述的采样比较电路的输出端，所述的第三芯片的第4脚接入-5V电压，所述的第三芯片的第7脚接入+5V电压，所述的第三芯片的第1脚和所述的第二滑动变阻器的一端连接，所述的第三芯片的第5脚和所述的第二滑动变阻器的另一端连接，所述的第二滑动变阻器的滑动端接入-5V电压。