[实用新型]防止静电放电的保护装置以及电子系统有效
申请号: | 201621089402.4 | 申请日: | 2016-09-21 |
公开(公告)号: | CN206516631U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | M·罗维瑞;A·弗罗伦斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,吕世磊 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 静电 放电 保护装置 以及 电子 系统 | ||
1.一种防止静电放电的保护装置(210),其特征在于,包括:
第一二极管(211)和第二二极管(212),串联设置在所述装置的第一连接端子(N1)和第二连接端子(N2)之间;
第三连接端子(N3),耦合到所述第一二极管(211)和所述第二二极管(212)的连结点;和
电容器(213),与所述第一二极管(211)和所述第二二极管(212)并联设置在所述第一连接端子(N1)和所述第二连接端子(N2)之间。
2.根据权利要求1所述的装置(210),其特征在于,所述第一二极管(211)被正向连接在所述第二连接端子(N2)和所述第三连接端子(N3)之间,并且所述第二二极管(212)被正向连接在所述第三连接端子(N3)和所述第一连接端子(N1)之间。
3.根据权利要求1所述的装置(210),其特征在于,所述电容器(213)具有连接到所述第一连接端子(N1)的第一电极和连接到所述第二连接端子(N2)的第二电极。
4.根据权利要求1所述的装置(210),其特征在于,包括用于封装所述第一二极管(211)和所述第二二极管(212)以及所述电容器(213)的封装体,所述封装体暴露出所述装置的所述第一连接端子(N1)、所述第二连接端子(N2)和第三连接端子(N3)。
5.一种电子系统,其特征在于,包括集成电路(100)和用于保护所述集成电路(100)的根据权利要求1所述的装置(210)。
6.根据权利要求5所述的系统,其特征在于,所述集成电路(100)包括施加电源电势(VDD)的第一连接端子(101)、施加参考电势(GND)的第二连接端子(102)以及第三输入/输出端子(103),所述保护装置(210)的所述第二连接端子(N2)和所述第三连接端子(N3)分别耦合到所述集成电路(100)的所述第二连接端子(102)和所述第三连接端子(103),并且所述保护装置(210)的所述第一连接端子(N1)被耦合到施加DC偏置电势(VBIAS)的端子(101;301)。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述保护装置(210)的所述第一连接端子(N1)被耦合到所述集成电路(100)的所述第一连接端子(101)。
8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述保护装置(210)的第一连接端子(N1)被耦合到施加不同于所述电源电势(VDD)的DC偏置电势(VBIAS)的端子(301)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的