[实用新型]防止曝光光罩污染的装置及曝光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置。

背景技术

光罩(或掩模)已经普遍应用于半导体制造的曝光装置中，曝光装置通常包括以下两种：使用透镜将光罩的图案投影到基板上的投影式曝光装置和在掩模与基板之间设置微小缝隙而将光罩的图案转印到基板的接近式曝光装置。然而，生产过程中的挥发物和微尘容易致使光罩受到污染，尤其是曝光过程中所使用的光阻由于其极易挥发而污染光罩，从而导致产品会有微观缺陷或宏观色差，严重影响良率。

曝光装置的光罩污染是一直以来困扰业界的一个问题，尤其是对于接近式曝光装置，由于接近式曝光装置的光罩和载台上产品的间隙较小，一般在300um以下，更容易受到挥发物和微尘污染。现有的解决方案通常是在光罩污染后进行检查并采用光罩清洗剂或气体洗涤的方式来清洁光罩，目前市场上在售或者相关文献提及的曝光设备中，没有在线防止光罩污染的装置。而且，在生产过程中，处理光罩污染引起的停机时间会极大地影响产能，并且光罩污染后的检查、清洁和修补成本也很高。

因此，需要提供一种防止曝光光罩污染的装置及曝光装置。

需要说明的是，公开于该实用新型背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型提供一种防止曝光光罩污 染的装置及曝光装置，能够在线阻隔污染，大幅度降低光罩污染几率，从而减少光罩清洗频度并提高产能。

为了达到上述目的，在本申请的一个方面，提供一种防止曝光光罩污染的装置，所述防止曝光光罩污染的装置包括：

气体供给模块，设置在曝光光罩下方并且包括上层出风口和下层出风口，所述上层出风口和下层出风口形成包括上层等离子气流和下层压缩空气流的双层气幕，所述下层压缩空气流产生的剪切力带走大部分挥发物，所述上层等离子气流与进人其中的剩余的挥发物发生化学反应以将所述剩余的挥发物转变成非污染的小分子物质；

气体回收模块，与所述气体供给模块相对地设置，所述气体回收模块回收并排放所述气体供给模块形成的气流、大部分挥发物和非污染的小分子物质。

在一些实施例中，所述上层出气口和下层出气口是能够按需改变孔径的可调式出风口。

在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括气流检测单元、气流调控单元和控制单元，所述气流检测单元和气流调控单元均连接至所述控制单元，所述气流检测单元检测所述等离子气流的流速和压缩空气流的流速并将检测到的流速发送给所述控制单元，所述气流调控单元在所述控制单元的控制下改变所述可调式出风口的孔径以调节所述等离子气流的流速和所述压缩空气流的流速。

在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括用于检测挥发物的浓度的挥发物浓度检测单元，所述挥发物浓度检测单元连接至所述控制单元，所述控制单元根据检测到的挥发物的浓度来设定所述等离子气流的流速和所述压缩空气流的流速。

在一些实施例中，所述气体供给模块包括供气模块和气刀，所述供气模块用于向所述气刀提供等离子气体和压缩空气，所述上层出风口和下层出风口设置在所述气刀上。

在一些实施例中，所述上层出气口和下层出气口各包括一排出气孔，每排出气孔沿所述气刀的宽度方向均匀排列。

在一些实施例中，每个出气孔上安装有喷嘴。

在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置还包括支架，所述支架用于将所述气刀固定在曝光光罩的下方。

在一些实施例中，所述气刀的宽度大于或等于曝光场的尺寸。

在一些实施例中，所述支架上设置有导轨，所述导轨在控制单元的控制下调节所述气刀的位置。

在本申请的又一方面，还提供一种曝光装置，所述曝光装置包括前述一个方面中所述的防止曝光光罩污染的装置。

在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置安装在所述曝光装置的光罩的下方。

在一些实施例中，所述防止曝光光罩污染的装置与所述曝光装置集成。