[实用新型]一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板有效
申请号: | 201621101052.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN206133180U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 孙丞;杨国文 | 申请(专利权)人: | 西安立芯光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人: | 胡乐 |
地址: | 710077 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆光 刻工 接触 光刻 配合 使用 刻板 | ||
1.一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板,其特征在于:该光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形,所述标尺图形包括若干条平行标尺,其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示;所述对准基线位于整个标尺图形的中部,是标尺图形中最长的一条平行标尺;所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。
2.根据权利要求1所述的光刻板,其特征在于:所述平行对准标示的长度或方向区别于其他平行标尺。
3.根据权利要求1所述的光刻板,其特征在于:所述对准基线始自光刻板的左端、终于光刻板的右端。
4.根据权利要求1所述的光刻板,其特征在于:所述标尺图形还包括且仅有一条垂直标尺,与所述若干条平行标尺呈十字交叉。
5.根据权利要求1所述的光刻板,其特征在于:所述若干条平行标尺的自身宽度和间距均相等。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备