[实用新型]阻流环、改善单晶硅径向电阻率均匀性的组件有效

专利信息
申请号: 201621102268.7 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN206204477U 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 韩建超;邓彩莲 申请(专利权)人: 上海合晶硅材料有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 上海脱颖律师事务所31259 代理人: 李强
地址: 201617 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 阻流环 改善 单晶硅 径向 电阻率 均匀 组件
【权利要求书】:

1.一种阻流环,其特征在于,包括阻流壁,所述阻流壁为筒状;还包括承载部和悬挂部,

所述阻流壁通过所述悬挂部悬挂于所述承载部的下方;所述悬挂部为柔性或刚性。

2.根据权利要求1所述的阻流环,其特征在于,所述悬挂部为至少一根侧柱,所述侧柱两端分别连接所述承载部和所述悬挂部。

3.根据权利要求1所述的阻流环,其特征在于,所述悬挂部为与所述阻流壁同轴的提环。

4.根据权利要求3所述的阻流环,其特征在于,所述悬挂部为至少一根侧柱,所述侧柱两端分别连接所述承载部和所述悬挂部;所述侧柱与所述悬挂部、所述阻流壁一体成型。

5.根据权利要求1所述的阻流环,其特征在于,所述阻流壁的高度不小于10mm。

6.根据权利要求1所述的阻流环,其特征在于,材质为高纯度石英。

7.一种改善单晶硅径向电阻率均匀性的组件,其特征在于,包括根据权利要求1-6任一项所述的阻流环,还包括导流筒和熔体容器,所述承载部安装于所述导流筒的下端;所述熔体容器设有向上的开口,所述导流筒用于将保护气吹向熔体表面地设置;所述阻流环伸入所述熔体容器内。

8.根据权利要求7所述的改善单晶硅径向电阻率均匀性的组件,其特征在于,所述熔体容器为坩埚,所述保护气为惰性气体。

9.根据权利要求8所述的改善单晶硅径向电阻率均匀性的组件,其特征在于,所述熔体容器为石英坩埚,所述保护气为氩气。

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