[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201621109959.X | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN206148461U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 谢春林;肖怀曙 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
第一类型半导体层，所述第一类型半导体层设置在所述衬底上，所述第一类型半导体层具有台阶，所述台阶以外区域设置有第一类型电极；
多量子阱发光层，所述多量子阱发光层设置在所述台阶上；
第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述多量子阱发光层上，所述第二类型半导体层上设置有第二类型电极；
第二类型接触层，所述第二类型接触层设置在所述第二类型半导体层的上表面上；
超晶格反射层，所述超晶格反射层设置在所述第二类型半导体层以及所述第二类型接触层之间，或者设置在所述第二类型接触层上表面上；以及
基板，所述第一类型电极以及所述第二类型电极倒装在所述基板上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格反射层为AlGaN/GaN超晶格结构。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，，所述AlGaN/GaN超晶格结构的周期数为20~50。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，周期厚度为2~4nm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一类型半导体层是由N型氮化镓形成的，所述第二类型半导体层是由P型氮化镓形成的。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二类型接触层为InGaN。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底以及所述第一类型半导体层之间进一步包括：
第一类型半导体成核层，所述第一类型半导体成核层设置在所述衬底上；以及
第一类型半导体层缓冲层，所述第一类型半导体层缓冲层设置在所述第一类型半导体成核层以及所述第一类型半导体层之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括：应力释放层，所述应力释放层设置在所述第一类型半导体层以及所述多量子阱发光层之间。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述应力释放层由多个依次层叠的InGaN亚层以及GaN亚层形成，或者所述应力释放层为InGaN/GaN超晶格结构。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括：电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述多量子阱发光层以及所述第二类型半导体层之间。
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