[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201621110652.1 | 申请日: | 2016-10-10 |
公开(公告)号: | CN207124181U | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 金美池;崔宇喆 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所11399 | 代理人: | 朱健,陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其作为一种包括将药液涂敷于被处理基板的表面的工艺的基板处理工艺得以进行的基板处理装置,其特征在于,包括:
药液涂敷单元,其用第一抓握部件来抓握所述被处理基板的边缘,并且以被上浮的状态使得所述被处理基板移动,同时设置有将药液涂敷于所述被处理基板的表面的药液喷嘴;
加热干燥单元,其使得第三抓握部件接收以被上浮的状态且以涂敷有药液的状态从所述药液涂敷单元被排出的所述被处理基板,并且以使得所述被处理基板上浮的状态与所述第三抓握部件一同移动,同时对所述被处理基板以多阶段的温度加热并且使得所述药液干燥。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热干燥单元配置为使得所述被处理基板的加热温度逐渐上升的状态。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述药液涂敷单元与所述加热干燥单元之间不存在在比大气压更低的压力状态下对所述被处理基板进行干燥的真空干燥单元。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热干燥单元沿着所述被处理基板的移送路径配置有多个对所述被处理基板进行加热的加热板,并且所述加热板的至少两个以上被调节为相互不同的温度。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热干燥单元形成为沿着所述被处理基板的移动方向包括被调节为相互不同的温度的第一加热区域与第二加热区域的两个以上的加热区域,并且所述被处理基板在所述第一加热区域与所述第二加热区域中在所规定的时间内得到加热干燥。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述被处理基板在所述加热区域中的任意一个以上以静止的状态得到加热干燥。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述被处理基板与所述第二加热区域相比首先达到的所述第一加热区域的第一加热温度,比所述第二加热区域的第二加热温度更低。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第一加热区域沿着所述被处理基板的移送路径配置有多个加热板,与所述第二加热区域邻接的位置的第一-二加热板被调节为比与所述第二加热区域隔开的位置的第一-一加热板更低的温度。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述药液涂敷单元进行之后,首先被加热的所述第一加热区域被规定为将所述药液内的溶剂去除5%至30%的温度。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第三抓握部件包括:第三-一抓握部件,其在移动所述第一加热区域时,抓握所述被处理基板;第三-二抓握部件,其在从所述第一加热区域向所述第二加热区域移动时,从所述第三-一抓握部件接收所述被处理基板。
11.根据权利要求1-10任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述被处理基板在上浮平台上通过超声波来导入上浮力。
12.根据权利要求5至10中任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述第一加热区域与所述第二加热区域之间形成有抑制热传递的切断屏障。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述切断屏障是空气屏障。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述切断屏障是以横推门形态进行开闭的隔热材料门。
15.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
设置于所述加热区域中任意一个的加热板通过辐射热传递来加热所述被处理基板。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述加热板配置有发热的热线,并且在所述加热板与所述被处理基板之间夹有媒介板,以根据所述热线的位置的温度梯度得到缩小的状态对所述被处理基板进行加热。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于,
所述媒介板包括铜或铝中任意一个的成分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造