[实用新型]GaN基肖特基二极管结构有效

专利信息
申请号: 201621115450.6 申请日: 2016-10-11
公开(公告)号: CN206332034U 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 周祥瑞;冷德武;王毅 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 代理人: 殷红梅,刘海
地址: 225063 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: gan 基肖特基 二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种GaN基肖特基二极管结构,其特征是:包括衬底(1)、位于衬底(1)上的GaN层(2)、位于GaN层(2)上的AlGaN层(3)、阴极金属(4)和阳极金属(5),阴极金属(4)同时与GaN层(2)和AlGaN层(3)欧姆接触,阳极金属(5)设置于AlGaN层(3)上表面,阳极金属(5)与AlGaN层(3)肖特基接触。

2.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:在所述衬底(1)和GaN层(2)之间设有缓冲层(6)。

3.如权利要求1或2所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述阳极金属(5)位于AlGaN层(3)和GaN层(2)上表面,分别与AlGaN层(3)和GaN层(2)接触。

4.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述阳极金属(5)与AlGaN层(3)的接触面为阶梯面。

5.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:在所述AlGaN层(3)上设置通孔,通孔由AlGaN层(3)的上表面延伸至GaN层(2)的上表面,阳极金属(5)通过通孔与GaN层(2)的上表面接触。

6.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述衬底(1)采用SiC或者蓝宝石基板。

7.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述GaN层(2)的厚度为50~200nm。

8.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述AlGaN层(3)的厚度为20~50nm;所述AlGaN层(3)采用AlGaN、AlInN或AlInGaN。

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