[实用新型]GaN基肖特基二极管结构有效
申请号: | 201621115450.6 | 申请日: | 2016-10-11 |
公开(公告)号: | CN206332034U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 周祥瑞;冷德武;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅,刘海 |
地址: | 225063 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | gan 基肖特基 二极管 结构 | ||
1.一种GaN基肖特基二极管结构,其特征是:包括衬底(1)、位于衬底(1)上的GaN层(2)、位于GaN层(2)上的AlGaN层(3)、阴极金属(4)和阳极金属(5),阴极金属(4)同时与GaN层(2)和AlGaN层(3)欧姆接触,阳极金属(5)设置于AlGaN层(3)上表面,阳极金属(5)与AlGaN层(3)肖特基接触。
2.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:在所述衬底(1)和GaN层(2)之间设有缓冲层(6)。
3.如权利要求1或2所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述阳极金属(5)位于AlGaN层(3)和GaN层(2)上表面,分别与AlGaN层(3)和GaN层(2)接触。
4.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述阳极金属(5)与AlGaN层(3)的接触面为阶梯面。
5.如权利要求3所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:在所述AlGaN层(3)上设置通孔,通孔由AlGaN层(3)的上表面延伸至GaN层(2)的上表面,阳极金属(5)通过通孔与GaN层(2)的上表面接触。
6.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述衬底(1)采用SiC或者蓝宝石基板。
7.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述GaN层(2)的厚度为50~200nm。
8.如权利要求1所述的GaN基肖特基二极管结构,其特征是:所述AlGaN层(3)的厚度为20~50nm;所述AlGaN层(3)采用AlGaN、AlInN或AlInGaN。
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