[实用新型]一种带有外延调制区的半导体装置有效
| 申请号： | 201621116798.7 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN206322701U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;杨婵;刘建;陈兴;杨伟;欧宏旗;钟怡 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 外延 调制 半导体 装置 | ||
1.一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层(10)、轻掺杂第一导电类型外延层(20)、第二导电类型保护环区(21)、第一导电类型外延调制区(22)和场介质层(30)；
所述轻掺杂第一导电类型外延层(20)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(10)之上；
所述第二导电类型保护环区(21)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面；
所述第一导电类型外延调制区(22)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之中；
所述场介质层(30)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(20)之上的部分表面。
2.根据权利要求1所述的一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：所述第二导电类型保护环区(21)为闭合状的环形结构；环形包围的中间区域为有源区。
3.根据权利要求1或2所述的一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：所述场介质层(30)位于有源区外部；所述第一导电类型外延调制区(22)位于有源区内部。
4.根据权利要求1所述的一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：所述第一导电类型外延调制区(22)为独立的一个连通区域或是多个独立的连通区域；
所述第一导电类型外延调制区(22)与第二导电类型保护环区(21)不接触。
5.根据权利要求1所述的一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于：所述场介质层(30)还覆盖于第二导电类型保护环区(21)之上的部分表面。
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