[实用新型]具有反射效果的光电器件封装结构有效
申请号: | 201621122290.8 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN206541829U | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 张裕洋;刘修铭;董志宏;卓敬凯 | 申请(专利权)人: | 位元奈米科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0203;H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 陈鹏,李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 效果 光电 器件 封装 结构 | ||
1.一种具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述具有反射效果的光电器件封装结构包括:
一光电转换复合层,具有相对的一上表面及一下表面;
一封合胶体,围绕所述光电转换复合层;
一第一保护层,通过所述封合胶体以结合于所述光电转换复合层的所述上表面,所述第一保护层具有相对的一第一内表面及一第一外表面;以及
一第二保护层,通过所述封合胶体以结合于所述光电转换复合层的所述下表面,所述第二保护层具有相对的一第二内表面及一第二外表面;
其中,所述第一内表面、所述第一外表面、所述第二内表面以及所述第二外表面四者中的至少一面上披覆一反射层。
2.根据权利要求1所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述反射层是由一金属氧化物形成的蒸镀层。
3.根据权利要求1所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述反射层是一光学涂料层。
4.根据权利要求2或3所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述反射层的厚度介于50纳米至5微米之间。
5.根据权利要求4所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述反射层包括相互堆叠的一高折射率光学膜及一低折射率光学膜。
6.根据权利要求1所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述封合胶体的厚度介于1微米至800微米之间。
7.根据权利要求1所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述第一保护层的厚度介于10微米至500微米之间,所述第二保护层的厚度介于10微米至500微米之间。
8.根据权利要求1所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述光电转换复合层包括一透光性基板及多个间隔设置于所述透光性基板上的光电转换单元,每一所述光电转换单元包括:
一透明导电层,设置于所述透光性基板上;
一电子传递层,设置于所述透明导电层上;
一有源层,设置于所述电子传递层上;
一电洞传递层,设置于所述有源层上;以及
一上导电层,设置于所述电洞传递层上,且与相邻的另一所述光电转换单元电性连接。
9.根据权利要求8所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述透光性基板是一透明塑料基板或一玻璃基板,所述透光性基板的厚度介于10微米至500微米之间。
10.根据权利要求8所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述透明导电层的厚度介于100纳米至10微米之间。
11.根据权利要求10所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述透明导电层的透光率介于70%至95%之间。
12.根据权利要求8所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述电子传递层的厚度介于50微米至200微米之间,所述有源层的厚度介于100微米至500微米之间,所述电洞传递层的厚度介于300微米至1000微米之间。
13.根据权利要求8所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述光电转换复合层还包括一光学硬化层,所述光学硬化层设置于所述透光性基板及多个所述光电转换单元之间。
14.根据权利要求13所述的具有反射效果的光电器件封装结构,其特征在于,所述光学硬化层的厚度介于1微米至5微米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的