[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料有效
| 申请号： | 201621124857.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN206388713U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基短 中波 叠层双色碲镉汞 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；
所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4；
所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5；
所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3。
2.如权利要求1所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，所述硅基复合衬底由下到上依次包括：硅衬底、在所述硅衬底上依次排列的砷钝化层、碲化锌缓冲层、以及碲化镉缓冲层。
3.如权利要求1或2所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，
所述碲镉汞短波吸收层的厚度为5～6μm；
所述碲镉汞阻挡层的厚度为1.0～1.2μm；
所述碲镉汞中波吸收层的厚度为4.5～4.8μm。
4.如权利要求3所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，
所述碲镉汞短波吸收层的厚度为5μm；
所述碲镉汞阻挡层的厚度为1.2μm；
所述碲镉汞中波吸收层的厚度为4.5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
