[实用新型]发光二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201621126240.7 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN206293462U 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨文娟,臧建明
地址: 韩国京畿道安山市檀*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 芯片
【权利要求书】:

1.一种发光二极管芯片,其特征在于包括:

基板;

第一导电型半导体层,配置在所述基板上;

网,配置到所述第一导电型半导体层上,包括活性层及第二导电型半导体层;

绝缘层,覆盖所述第一导电型半导体层及所述网,包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部及位于所述网的上部的第二开口部;

第一焊垫电极,配置到所述绝缘层的上部,通过所述第一开口部电连接到所述第一导电型半导体层;及

第二焊垫电极,配置到所述绝缘层的上部,通过所述第二开口部电连接到所述第二导电型半导体层,且

所述绝缘层的所述第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述绝缘层包括多个所述第一开口部,所述第一开口部中的两个分别配置在所述网的两侧面。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述第一开口部中的一个配置在所述网的两侧面中的一侧面。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述网包括从侧面凹陷的多个沟槽,多个所述第一开口部分别使在多个所述沟槽内露出的所述第一导电型半导体层局部地露出。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述网还包括使所述第一导电型半导体层露出的贯通孔,

所述绝缘层还包括在所述贯通孔内使所述第一导电型半导体层露出的开口部,

所述第一焊垫电极通过所述贯通孔电连接到所述第一导电型半导体层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述贯通孔配置在所述沟槽之间,所述沟槽配置在所述网的两侧面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述第一开口部的第二区域使所述第一导电型半导体层的侧面局部地露出。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片,其特征在于:

还包括接触电极,所述接触电极配置到所述网与所述绝缘层之间而与所述第二导电型半导体层接触,

所述第二焊垫电极连接到所述接触电极。

9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片,其特征在于:

在所述活性层产生的光通过所述基板向外部射出,并且通过所述第一焊垫电极与所述第二焊垫电极之间的区域向外部射出。

10.根据权利要求8所述的发光二极管芯片,其特征在于:

所述接触电极为使在所述活性层产生的光透射的透明电极。

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