[实用新型]一种增强磁场的永磁耦合器有效
| 申请号： | 201621128327.8 | 申请日： | 2016-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN206498313U | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 黄佳宁 |
| 主分类号： | H02K49/10 | 分类号： | H02K49/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200438 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 磁场 永磁 耦合器 | ||
1.一种增强磁场的永磁耦合器，主要由驱动轴(1)，绝缘背板(2)，铜盘(4)，
驱动永磁体(5)，从动轴(6)，永磁盘(7)组成；
驱动轴(1)与永磁盘(7)相固定或者一体制成；
从动轴(6)与绝缘背板(2)相固定或一体制成；
永磁盘(7)周向均布嵌入驱动永磁体(5)；
所述的绝缘背板(2)将永磁盘(7)的径向面和周向面，有间隙地包裹其内；
两块铜盘(4)贴合在面向永磁盘(7)的绝缘背板(2)内侧上；
其特征在于：还包括高导磁条(3)和环氧树脂绝缘层(8)；
铜盘(4)和绝缘背板(2)沿周向均匀开直槽；
直槽中嵌入与之形状相对应的高导磁条(3)，高导磁条(3)的导磁率大于铜盘(4)；
高导磁条(3)与铜盘(4)之间设置环氧树脂绝缘层(8)；
直槽和高导磁条(3)的数量为偶数个。
2.根据权利要求1所述的一种增强磁场的永磁耦合器，其特征在于所述的直槽与半径方向呈大于或等于0°且小于或等于30°的夹角。
3.根据权利要求2所述的一种增强磁场的永磁耦合器，其特征在于所述的直槽和高导磁条(3)的截面形状为T形、矩形或燕尾槽形。
4.根据权利要求1所述的一种增强磁场的永磁耦合器，其特征在于所述的高导磁条(3)为硅钢片制成。
5.根据权利要求4所述的一种增强磁场的永磁耦合器，其特征在于直槽和高导磁条(3)的数量为6组。
6.根据权利要求5所述的一种增强磁场的永磁耦合器，其特征在于高导磁条(3)的横截面积与驱动永磁体(5)的横截面积比值为1:1。
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