[实用新型]驱动电路和烹饪器具

说明书

技术领域

本实用新型涉及烹饪器具技术领域，具体而言，涉及一种驱动电路和一种烹饪器具。

背景技术

相关技术中，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)兼具高输入阻抗和低导通压降等优点，载流密度小，且功耗损失小，因此被广泛应用于小家电的负载驱动电路中。

如图1所示，在饭煲等家用电器中，供电模块102(包括整流桥单元、低通滤波单元和保护单元)、加热谐振模块(并联连接的电容C和电感L)和IGBT(图1中所示的110)形成串联回路，而IGBT的导通取决于微处理器106和IGBT驱动模块108的驱动信号是否高于栅极导通电压，也即驱动信号为高电平时IGBT导通。

如图2所示，正极a的电势为电阻R1和R4的分压，负极b的电势为R2和R3的分压，在静态时，Vb＞Va，Vb-Va的范围在100mV～300mV之间，Vb≈1/2Vcc(Vcc为直流稳压源)，在动态时，当比较器104的正极a的电势高于负极b的电势时，比较器104输出高电平信号，边沿触发微处理器106输出高电平的驱动信号，此时IGBT的集电极的电势几乎为零，在获取高电平的驱动信号时实现过零导通，加热谐振模块开始工作。

但是，上述过零导通方案对于耦合较差的驱动电路来说，存在如图3所示的迟滞导通现象，具体地，IGBT的过零导通点为A点(Vce为零时)，但是由于比较器104判断Vb小于Va的时刻为B，存在时间延迟T。因此，从C时刻起触发输出高电平的驱动信号Vg，其实质为迟滞导通，迟滞时间为T，这严重影响电路的可靠性和负载效率，但是如果大幅调整Va和Vb的相关电路，需要投入较长的研发成本和调试成本，同样影响电路的稳定性和用户的使用体验。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种驱动电路。

本实用新型的另一个目的在于提出了一种烹饪器具。

为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的实施例，提出了一种驱动电路，包括：晶闸管开关，晶闸管开关的驱动端连接至微处理器的第一接口；同步驱动模块，同步驱动模块的输入端连接至晶闸管开关，同步驱动模块的输出端连接至微处理器的第二接口；微处理器，微处理器包括：第一接口和第二接口，第二接口在接收到触发信号后，触发微处理器控制第一接口产生驱动信号，触发信号的接收时刻与驱动信号的产生时刻之间的时间间隔为预设值，集电极的电位下降至零的时刻晚于驱动信号的产生时刻，其中，晶闸管开关连接至负载，晶闸管开关导通时，负载所在的工作电路导通，工作电路中还设有整流桥模块，用于对输入负载的电压负载进行整流处理。

根据本实用新型的实施例的驱动电路，通过设置同步驱动模块以代替比较器，克服了比较器造成的时间延迟，解决了迟滞导通的技术问题，具体地，通过设定触发信号的接收时刻与驱动信号的产生时刻之间的时间间隔为预设值，使得集电极的电位下降至零的时刻晚于所述驱动信号的产生时刻，在集电极的相关电势降低至参考值(参考值大于零，且集电极的电势大于零)时，微处理器记录此时时刻为t1，并确定时间间隔为Δt(预设在微处理器中)，在t2时刻微处理器产生驱动信号，其中，t2＝t1+Δt，因此保证驱动信号的产生时刻早于集电极的电势下降为零的时刻，从而真正意义上解决了比较器造成的迟滞导通的技术问题，提升了驱动电路的稳定性和可靠性。

其中，晶闸管开关通常采用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，供电模块、负载与IGBT串联，在IGBT的集电极的电势下降至零前，触发微处理器记录t1，并通过理论计算或经验值确定Δt，在集电极的电势下降至零前，微处理器已产生驱动信号以驱动IGBT导通，进而负载开始工作。

对于饭煲等烹饪器具而言，负载为单管加热模块，也即电磁谐振模块(通常由串联连接或并联连接的电容和电感组成)产生电磁波实现涡流加热。

根据本实用新型的一个实施例，晶闸管开关的集电极连接至负载，晶闸管开关的发射极接地，晶闸管开关的基极作为驱动端连接至微处理器的第一接口。

根据本实用新型的实施例的驱动电路，晶闸管开关的集电极和发射极之间的电势差范围为0～1200V，晶闸管开关的基极电势范围为0～18V。