[实用新型]分离设备有效
申请号: | 201621136841.6 | 申请日: | 2016-10-19 |
公开(公告)号: | CN206441703U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张福根,冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分离 设备 | ||
技术领域
本实用新型关于一种分离设备,尤指一种用于劈裂工艺的分离设备。
背景技术
现有半导体制备工艺中,晶片于制造完成后,会进行薄化工艺、切单工艺、封装工艺等,其中,切单工艺的方式繁多,例如、激光切割、机械切割、劈裂分离等。
如图1A及图1B所示,现有劈裂式分离设备1包括:一机台本体(图略)、一设于该机台本体下侧的基座10、一设于该机台本体上侧的劈裂装置12、以及一设于该基座10上的贴膜13。
于进行劈裂作业时,先将一具有多个预切割道80的晶片8黏贴于该贴膜13上,再将该劈裂装置12的劈刀120对位于其中一预切割道80上,并利用该劈裂装置12的震动件121撞击该劈刀120,使该劈刀120碰触该晶片 8对应该预切割道80的背面位置A,以令该晶片8沿该预切割道80裂开(如裂痕S)。之后重复上述该劈裂装置12的劈裂步骤,以于该晶片8背面的直向与横向上劈裂各该预切割道80,使该晶片8分离成多个晶粒8a。
然而,现有劈裂装置12是使用该劈刀120劈裂该晶片8,故当该劈裂装置12由该晶片8的中间处劈裂至该晶片8的边缘处时,该劈刀120与该贴膜13的边缘处的铁环会因相碰而损坏,且该劈刀120于长期使用后会有钝化的情况而产生无法有效劈裂的问题。
此外,虽第I441251号台湾专利揭露使用高压气体劈裂晶片,但其气体冲击气囊后再间接作用至该晶片上,导致气体于该气囊中的压力不易控制,且气囊于长期使用后会有破损的情况而产生漏气致使无法有效劈裂的问题。
因此,如何克服现有技术的种种问题,实为一重要课题。
实用新型内容
为解决上述现有技术的问题,本实用新型遂揭露一种分离设备,使得供气装置不会与承载件因相碰而损坏。
本实用新型的分离设备包括:基座;承载件,其设于该基座上以承载物件;以及供气装置,其位于该承载件上方且具有直接供气至该物件的气嘴。
前述的分离设备中,该承载件可为黏性片体。
前述的分离设备中,该黏性片体为离形胶片、紫外线胶带或热分离胶带。
前述的分离设备中,该供气装置为劈裂装置。
前述的分离设备中,该供气装置还具有遮挡部,其对应该气嘴作设置。
前述的分离设备中,还包括具有开口的固定件,其固定该承载件,以令该承载件遮盖该开口。例如,该固定件为环体。
前述的分离设备中,该固定件设于该承载件上。
由上可知,本实用新型的分离设备中,主要通过该供气装置直接供应气体压力至该物件,故相较于现有技术,该供气装置不会与该承载件因相碰而损坏,且无需藉由气囊间接传递撞击力至该物件,因而使用者易于控制该供气装置的气体压力,并因无需使用气囊而能没有现有气囊发生漏气的问题。
附图说明
图1A为现有分离设备的剖面示意图;
图1B为图1A的局部放大示意图;
图2A为本实用新型的分离设备的侧视示意图;以及
图2B为图2A的局部放大示意图。
其中,附图标记说明如下:
1、2分离设备
10、20基座
12 劈裂装置
120劈刀
121震动件
13 贴膜
21 固定件
210开口
22 供气装置
220气嘴
221遮挡部
23 承载件
8、9晶片
8a、9a晶粒
80、90预切割道
A背面位置
S裂痕。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供本领域技术人员了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”及“一”等的用语,也仅为便于叙述的明了,而非用以限定本实用新型可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当也视为本实用新型可实施的范畴。
图2A及图2B为本实用新型的分离设备2的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于正恩科技有限公司,未经正恩科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621136841.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造