[实用新型]具有限位件的承载盘有效
申请号: | 201621146280.8 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN206370409U | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 黃琮琳 | 申请(专利权)人: | 桦塑企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人: | 陈践实 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 限位 承载 | ||
1.一种具有限位件的承载盘,其特征在于:包括:
一个基板,该基板具有一个设置表面,该设置表面沿一个设置方向凸设一个环墙,其中,该设置方向为由该设置表面远离该基板的方向,该环墙将该设置表面区隔为一个承载面及一个支撑面,且该承载面用以承载一个被承载物;及
一个限位件,该限位件结合该支撑面且连接该环墙。
2.如权利要求1所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位件位于该支撑面所延伸的范围内。
3.如权利要求1所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:在该设置方向上,该限位件具有一个限位高度,该环墙具有一个环墙高度,该限位高度不大于该环墙高度。
4.如权利要求1所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该基板另具有一个底表面,该底表面与该设置表面为两个相对表面,且该底表面凹设一个限位槽,该限位槽在该设置方向上部分对位该支撑面所延伸的范围。
5.如权利要求4所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位件在该设置方向上对位该限位槽。
6.如权利要求5所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位件是两个限位块,两个限位块在该设置方向上对位该限位槽。
7.如权利要求4所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:在该设置方向上,该限位件具有一个限位高度,该限位槽具有一个限位深度,该限位深度等于该限位高度。
8.如权利要求4所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位槽具有对向的两个内接壁,两个内接壁之间具有一个内接距离,该内接距离沿该设置方向渐减。
9.如权利要求8所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位件具有背向的两个外接壁,两个外接壁之间具有一个外接距离,该外接距离沿该设置方向渐减。
10.如权利要求9所述的具有限位件的承载盘,其特征在于:该限位件的两个外接壁在该设置方向上对位该限位槽的两个内接壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桦塑企业股份有限公司,未经桦塑企业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621146280.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光产生源的光漫射
- 下一篇:使用钙基材料稳定F类型的含钠粉煤灰
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造