[实用新型]太赫兹波导器件有效
| 申请号： | 201621152858.0 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206147136U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑小平;李志杰;邓晓娇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/00 | 分类号： | G02B6/00;H01P3/12;H01P3/127 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司11606 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 波导 器件 | ||
1.一种太赫兹波导器件，其特征在于，所述太赫兹波导器件包括基管，所述基管为管状结构，且所述基管中填充有惰性气体。
2.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管中填充有氦、氖、氩、氪、氙中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述惰性气体填充于所述基管中的整个空间，且所述基管中仅填充有惰性气体。
4.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述惰性气体在基管中形成均匀的气流场，且所述基管中填充有纯惰性气体。
5.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为聚合物材料制成的管状结构，所述基管为圆形的空心管，且所述空心管具有光滑的内表面。
6.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管对太赫兹波的折射率为1.4-2.0。
7.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为聚乙烯、聚四氟乙烯、聚甲基戊烯、环烯烃类共聚物中的一种制成的管状结构。
8.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管为纯聚四氟乙烯制成的管状结构。
9.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，所述基管的半径R满足以传输模，其中λ为太赫兹波的波长。
10.如权利要求1所述的太赫兹波导器件，其特征在于，进一步包括太赫兹波输入装置及太赫兹波接收装置，所述基管设置于太赫兹波输入装置及太赫兹输出装置之间。
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