[实用新型]用于劈裂工艺的分离设备的作用装置有效
申请号: | 201621154446.0 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN206441704U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 劈裂 工艺 分离 设备 作用 装置 | ||
技术领域
本实用新型关于一种分离设备,尤指一种可用于劈裂工艺的分离设备的作用装置。
背景技术
现有半导体工艺中,晶圆于制造完成后,会进行薄化工艺、切单工艺、封装工艺等,其中,切单工艺的方式繁多,例如:激光切割、机械切割、劈裂分离等。
如图1A及1B所示,现有劈裂式分离设备1包括:一机台本体(图略)、一设于该机台本体下侧的基座10、一设于该机台本体上侧的劈裂装置12、以及一设于该基座10上的贴膜13。
于进行劈裂作业时,先将一具有多个预切割道80的晶圆8黏贴于该贴膜 13上,再将该劈裂装置12的劈刀120对位于其中一预切割道80上,并利用该劈裂装置12的震动件121撞击该劈刀120,使该劈刀120碰触该晶圆8对应该预切割道80的背面位置A,以令该晶圆8沿该预切割道80裂开(如裂痕S)。之后重复上述该劈裂装置12的劈裂步骤,以于该晶圆8背面的直向与横向上劈裂各该预切割道80,使该晶圆8分离成多个晶粒8a。
现有劈裂装置12中,如图1C所示,该震动件121包括一内壁具有电磁线圈122a的壳体122、设于该壳体122中的击针121a、及套设于该击针121a 后端的弹簧123。于进行劈裂作业时,将该电磁线圈122a通电以带动该击针 121a向下锤击该劈刀120,同时带动该弹簧123产生形变。之后藉由该弹簧 123带动该击针121a回到初始位置。
然而,现有劈裂式分离设备中,该击针121a设于具有该电磁线圈122a 的壳体122中,且因该壳体122与该击针121a之间具有间隙t,因而不易控制该击针121a相对该壳体122的同心度,故当该击针121a透过该弹簧123 回到原始位置时,该击针121a容易倾斜(如第1D图所示),致使后续该击针121a再次锤击该劈刀120时,该击针121a会与该壳体122发生摩擦,不仅会产生粉尘而污损该晶圆8,且会影响敲击力道而无法有效劈裂该晶圆8。
因此,如何克服现有技术的种种问题,实为一重要课题。
发明内容
为解决上述现有技术的问题,本实用新型遂提供一种用于劈裂工艺的分离设备的作用装置,以避免污损晶圆。
本实用新型遂揭露一种用于劈裂工艺的分离设备的作用装置,包括:撞击部;连动结构,其具有相对的第一侧与第二侧,该第一侧连接动力源,以带动该撞击部位移;以及作用源,其与该撞击部相间隔设置。
前述的作用装置中,该动力源为音圈马达。
前述的作用装置中,该作用源为物理供力结构,例如,该作用源是为劈刀。
前述的作用装置中,该撞击部为板体或杆体。
前述的作用装置中,该撞击部设于该动力源上。
前述的作用装置中,还包括该线性位移结构,其连接该连动结构。例如,该线性位移结构为滑轨结构或线性轴承结构。
由上可知,本实用新型的作用装置中,主要藉由该连动结构的第一侧连接该动力源,而非将该连动结构设于该动力源中,故相较于现有技术,该连动结构不会与该动力源发生摩擦,因而不会产生粉尘,进而避免污损晶圆的问题。
再者,藉由该线性位移结构连接该连动结构,使该连动结构于进行劈裂作业时不会发生倾斜,故相较于现有技术,本实用新型的作用装置能有效控制该连动结构的敲击力道,以有效劈裂晶圆。
附图说明
图1A为现有分离设备的剖面示意图;
图1B为图1A的局部放大示意图;
图1C为图1B的劈裂装置的放大侧视示意图;
图1D为图1C的实际情况的侧视示意图;
图2A为本实用新型的作用装置的第一实施例的侧视示意图;
图2B为本实用新型的作用装置的第二实施例的侧视示意图;
图3为本实用新型的作用装置的第三实施例的侧视示意图;
图4A为本实用新型的作用装置的第四实施例的立体示意图;以及
图4B为图4A的侧视剖面示意图。
其中,附图标记说明如下:
1 分离设备
10 基座
12 劈裂装置
120 劈刀
121 震动件
121a,301 击针
122,30a,40a 壳体
122a,300 电磁线圈
123,302 弹簧
13 贴膜
2a,2b,3 作用装置
20,30 动力源
200 定子
201 动子
21,31 线性位移结构
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造