[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱

权利要求书

1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：包括La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底，生长在La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。

2.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

3.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述GaN纳米柱模板的GaN的(0001)面平行于La_0.3Sr_1.7AlTaO₆的(111)面。

4.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述GaN纳米柱模板为GaN纳米柱阵列；所述GaN纳米柱模板的高度和GaN缓冲层相同。

5.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN成核层的厚度为100～200nm；所述GaN纳米柱模板的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm。

6.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN/GaN超晶格层为15～25个周期的AlN层/GaN层，总厚度为20～100nm，其中AlN层的厚度为1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm。

7.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述InGaN/GaN纳米柱多量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。

8.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，还包括隔离层，所述隔离层沉积在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板的AlN成核层上。

9.根据权利要求8所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述隔离层厚度为10～50nm。