[实用新型]生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱

权利要求书

1.生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：包括LiGaO₂衬底，生长在LiGaO₂衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。

2.根据权利要求1所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列，所述非极性GaN纳米柱阵列设置在非极性GaN缓冲层上，非极性GaN缓冲层生长在LiGaO₂衬底上。

3.根据权利要求1所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱还包括保护层，所述保护层沉积在未被非极性GaN纳米柱阵列覆盖的非极性GaN缓冲层上，或者沉积在未被非极性GaN纳米柱阵列覆盖的非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列的侧壁上。

4.根据权利要求3所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述保护层的厚度为5～20nm。

5.根据权利要求1所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述非极性GaN纳米柱模板层的厚度为30～200nm；所述非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱的高度为10～30nm。

6.根据权利要求1所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱为7～12个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为2～4nm；GaN垒层的厚度为10～15nm。

7.根据权利要求1所述生长在LiGaO₂衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：所述纳米柱阵列为具有纳米级周期性图案的纳米柱阵列，即具有纳米级尺寸、相同大小的周期性正六角形图案，图案边长为20～60nm，相邻图案之间的距离即相邻纳米柱间的距离为5～10nm。