[实用新型]一种粉末静电喷枪驱动电路有效

专利信息
申请号: 201621157723.3 申请日: 2016-10-24
公开(公告)号: CN206250956U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 苏强;刘吉林 申请(专利权)人: 中山方圆谷涂装科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;B05B5/053
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 伍传松
地址: 528401 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 粉末 静电 喷枪 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及高压静电喷涂,尤其是一种用于高压静电喷涂产品的粉末静电喷枪驱动电路。

背景技术

静电喷涂是利用高压静电电场使带负电的涂料微粒沿着电场相反的方向定向运动,并将涂料微粒吸附在工件表面的一种喷涂方法。静电喷涂设备由喷枪、喷杯以及静电喷涂高压电源等组成,其中静电喷涂高压电源是由市电经过高压电容串的多次倍压达到上万伏高压的,这里的高压电容串加上外壳和灌封胶组成俗称的高压包,是由变压器T1、多组高压电容、高压二极管按照图1所示的原理图连接而成, 12级总共24倍压,其中,如何设计高压包的驱动电路是产品品质好坏的关键。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型的目的是提供一种提升效率和消除尖峰电压的粉末静电喷枪驱动电路。

本实用新型所采用的技术方案为:

一种粉末静电喷枪驱动电路,包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN-OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN-OUTB连接,第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND,所述高压包的输入端GUN-OUTA和输入端GUN-OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。

进一步,所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制极与移相谐振全桥控制器之间皆设置有一限流电阻。

与现有技术相比较,本实用新型具有以下有益效果:因选用高度集成移相谐振全桥IC,具有体积小,功率大,效率高,运行可靠;同常规自激振荡电路比较,尖峰电压基本完全消除且功率增大1倍,输出级的开关管是在零电压环境下开关;使用适当的工作频率后,可使输出级工作在谐振状态下,从而使逆变输出高频高压正弦波电压供后级的倍压电路;同常规自激振荡电路比较,尖峰电压基本完全消除且功率增大1倍,输出级的开关管是在零电压环境下开关。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步的说明。

图1为高压包电路的线路图;

图2为全桥MOSFET输出级的电路图;

图3为移相谐振全桥控制器的电路图;

图4为移相谐振全桥控制器的输出时序图。

具体实施方式

参阅图1-图3所示,为本实用新型的一种粉末静电喷枪驱动电路,包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,分别为Q311~Q314,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN-OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN-OUTB连接,第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND,所述高压包的输入端GUN-OUTA和输入端GUN-OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。

进一步,所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的控制极与移相谐振全桥控制器之间皆设置有一限流电阻,分别为R311~R314。

如图3所示,移相谐振全桥控制器U601提供了四个栅极驱动器:两个浮点高边栅极驱动器HO1 和 HO2,以及两个接地基准低边栅极驱动器LO1 和 LO2。每个内部驱动器都具有 1.5A 峰值灌电流和 2A 峰值抽电流能力。低边栅极驱动器通过 VCC 稳压器直接供电。HO1 和 HO2 栅极驱动器分别由连接在 BST1/BST2 和 HS1/HS2 之间的自举电容供电。

当相应的开关节点 (HS1/HS2 引脚) 为低电平时,连接在VCC

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