[实用新型]一种MOS管和芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种MOS管和一种芯片。

背景技术

目前，小功率开关电源普遍使用插件类高压MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)管(例如TO-92/TO-220等封装形式的插件类高压MOS管)作为主开关器件。常见的高压MOS管器件耐压在650V-800V，高耐压器件在layout(布线)设计时须考虑引脚之间的安全间距问题，以防止在PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)板潮湿或者被污染后引起漏电问题。目前业内MOS管的三个引脚引出方案均采用漏极引脚居中设计的方案，这样，承受高压的漏极引脚和源极引脚之间的安全间距就会受限，给后端应用带来不便。

为了增大MOS管中漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，现有技术中，Layout设计师常采用以下两种方案：

方案一，在漏极引脚对应的焊盘和源极引脚对应的焊盘之间增加开孔；

方案二，将漏极引脚、源极引脚和栅极引脚进行“品”字形摆放设计。

上述两种方案中，方案一会增加MOS管成本，且存在PCB破孔的风险，方案二会增加引脚成型工艺及成本，且存在MOS管器件加工时受损的风险。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种MOS管和一种芯片，以解决现有技术中增大MOS管中漏极引脚和源极引脚之间的安全间距时成本高、存在PCB破孔的风险或存在MOS管器件加工时受损的风险的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种MOS管，包括：晶圆、金属衬底支架、栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其中，所述漏极引脚的一端与所述金属衬底支架连接，所述栅极引脚的一端和所述源极引脚的一端分别与所述晶圆连接，所述栅极引脚设置在所述漏极引脚和所述源极引脚之间。

为了解决上述问题，本实用新型实施例还公开了一种芯片，包括至少一个所述的MOS管。

本实用新型实施例包括以下优点：通过将漏极引脚的一端与金属衬底支架连接，栅极引脚的一端和源极引脚的一端分别与晶圆连接，栅极引脚设置在漏极引脚和源极引脚之间。这样，能够实现最大程度增大漏极引脚和源极引脚之间的安全间距，提高了MOS管的耐高压能力，减少或避免MOS管的漏电问题，不仅便于后端应用，且有利于进一步小型化MOS管的尺寸，成本低，不存在现有技术中PCB破孔的风险或MOS管器件加工时受损的风险等。

附图说明

图1是本实用新型的一种MOS管实施例的结构示意图；

图2是本实用新型的另一种MOS管实施例的结构示意图；

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参照图1，其示出了本实用新型的一种MOS管实施例的结构示意图，具体可以包括：晶圆1、金属衬底支架2、栅极引脚G、源极引脚S和漏极引脚D，其中，漏极引脚D的一端与金属衬底支架2连接，栅极引脚G的一端和源极引脚S的一端分别与晶圆1连接，栅极引脚G设置在漏极引脚D和源极引脚S之间。其中，图1中，漏极引脚D在栅极引脚G的左侧，源极引脚S在栅极引脚G的右侧。

在本实用新型的另一个实施例中，参照图2，源极引脚S在栅极引脚G的左侧，漏极引脚D在栅极引脚G的右侧。

可选地，在本实用新型的一个实施例中，参照图1和图2，栅极引脚G和晶圆1可以通过第一金属线3连接，源极引脚S和晶圆1可以通过第二金属线4连接。

可选地，在本实用新型的一个实施例中，漏极引脚D和金属衬底支架2可以通过第三金属线连接，或漏极引脚D与金属衬底支架2一体成型。其中，图1和图2中，漏极引脚D与金属衬底支架2一体成型。

可选地，金属线可以包括金线、铜线或铝线等，金属衬底支架2可以为铜衬底支架等。其中，图1和图2中，金属线为金线。

可选地，晶圆1和金属衬底支架2通过导电材料固定连接，其中，导电材料可以包括高温锡膏或银浆等。

具体地，参照图1和图2，晶圆1、金属衬底支架2、栅极引脚G的一端、源极引脚S的一端和漏极引脚D的一端可以封装在塑脂5中，栅极引脚G的另一端、源极引脚S的另一端和漏极引脚D的另一端悬空。