[实用新型]一种粗化倒装GaAs基LED外延片有效
| 申请号： | 201621159108.6 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN206148465U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 gaas led 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种粗化倒装GaAs基LED外延片，其特征在于，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体。
2.根据权利要求1所述的一种粗化倒装GaAs基LED外延片，其特征在于，所述腐蚀阻挡层上周期性设有若干个所述凸起结构体及若干个所述凹陷结构体，所述凸起结构体之间的间隔为100-1000nm，所述凹陷结构体之间的间隔为100-1000nm，所述凹陷结构体凹下去的深度为3-5um，所述凸起结构体凸起的高度为100-10000nm。
3.根据权利要求2所述的一种粗化倒装GaAs基LED外延片，其特征在于所述凸起结构体之间的间隔为500nm，所述凹陷结构体之间的间隔为500nm，所述凹陷结构体凹下去的深度为3um。
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