[实用新型]一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器有效
| 申请号： | 201621159953.3 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN206259911U | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 滑育楠;邬海峰;胡柳林;陈依军;廖学介;吕继平;童伟;王测天 | 申请（专利权）人： | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/14 | 分类号： | H03F1/14;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 610016 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 效应 分布式 堆叠 结构 功率放大器 | ||
1.一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，所述分布式二堆叠HiFET放大网络由k个二堆叠HiFET结构组成，其中k大于等于3；所述二堆叠HiFET结构由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成，
所述二堆叠HiFET结构的最底层的晶体管的源极接地，栅极通过并联的RC稳定电路接到所述考虑密勒效应的栅极人工传输线；
所述二堆叠HiFET结构的最上层的晶体管的栅极通过分压电阻连接到所述偏置电压，同时，所述栅极连接由栅极补偿电容连接接地组成的补偿电路，漏极和源极之间并联高频补偿电容，漏极连接到所述考虑密勒效应的漏极人工传输线。
2.根据权利要求1所述的考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，所述补偿电路的栅极补偿电容还串接一栅极补偿电阻。
3.根据权利要求1所述的考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，所述考虑密勒效应的栅极人工传输线由栅极吸收负载、栅极隔直电容、栅极馈电电感、k+1个栅极传输线等效电感和k个栅极传输线等效电容构成。
4.根据权利要求1所述的考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，所述考虑密勒效应的漏极人工传输线由漏极吸收负载、漏极隔直电容、漏极馈电电感、k+1个漏极传输线等效电感和k个漏极传输线等效电容构成。
5.根据权利要求1至4任一项所述的考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，所述分布式二堆叠HiFET放大网络为有源放大网络，考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线均为无源网络。
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