[实用新型]具有氧化物层的晶片的抛光系统有效
| 申请号： | 201621162037.5 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN207058321U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 金圣教 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 姜虎,陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 氧化物 晶片 抛光 系统 | ||
1.一种具有氧化物层的晶片的抛光系统，所述晶片的底面形成有透光性材质的抛光层，其特征在于，包括：
抛光垫，在抛光平板上进行旋转；
光照射部，向所述晶片的抛光层照射光；
调节器，一边对所述抛光垫进行加压，一边进行改性；
光接收部，用于接收从所述抛光层的互不相同的第一位置反射的第一光干涉信号和从第二位置反射的第二光干涉信号；
抛光头，用于调节对所述晶片进行加压的压力和调节器的压力中的任意一种以上，以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的偏差。
2.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头包括压力腔室，所述压力腔室被分割为包括第一压力腔室和第二压力腔室在内的多个，用于对晶片进行加压，所述抛光头独立调节被分割为包括所述第一压力腔室和所述第二压力腔室在内的多个的所述压力腔室的压力，从而调节所述晶片的压力。
3.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述偏差为在规定的第一时刻中的光干涉信号的偏差。
4.根据权利要求1所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述偏差为按照时间来追踪所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的信号相位差。
5.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光头以消除所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号的相位差的方式来调节对所述晶片进行加压的压力。
6.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述第一位置和所述第二位置位于互不相同的压力腔室的下侧。
7.根据权利要求6所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，若所述第一光干涉信号相比于所述第二光干涉信号滞后，则使通过所述第一压力腔室导入于所述晶片的第一压力大于通过所述第二压力腔室导入于所述晶片的第二压力。
8.根据权利要求2所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述光接收部在所有所述压力腔室的下侧分别接收至少一个位置中的光干涉信号。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述第一光干涉信号和所述第二光干涉信号为相同波长的光信号。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的具有氧化物层的晶片的抛光系统，其特征在于，所述抛光层为氧化物层。
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