[实用新型]存储器电源时序控制芯片有效
申请号: | 201621162379.7 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN206148141U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 杨欣龙;洪明哲 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 乔媛 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 电源 时序 控制 芯片 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种控制芯片,且特别是有关于一种可相容于多种处理器平台的存储器电源时序控制芯片。
背景技术
一般来说,不同的处理器平台(例如英特尔(Intel)处理器平台或是超微(AMD)处理器平台),对于其所搭载的动态随机存取存储器(DRAM)的电源时序的要求亦不相同。
举例来说,第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4SDRAM)电路正常运作所需的供电电源包括VPP电源(为2.5伏特)、VDD电源(或VDDQ电源,为1.2伏特)以及VTT电源(为0.6伏特),而当计算机设计业者在发展Intel 2016KabyLake处理器平台并搭载DDR4SDRAM的计算机产品时,计算机设计业者需实现Intel 2016KabyLake处理器平台所要求的DDR4SDRAM的VPP电源、VDD电源(或VDDQ电源)以及VTT电源的电源时序(由Intel公司所制定)。同样地,当计算机设计业者发展AMD 2017AM4处理器平台并搭载DDR4SDRAM的计算机产品时,计算机设计业者需实现AMD 2017AM4处理器平台所要求的DDR4SDRAM的VPP电源、VDD电源(或VDDQ电源)以及VTT电源的电源时序(由AMD公司所制定)。
由于Intel 2016KabyLake处理器平台所要求的DDR4SDRAM的电源时序较为复杂,故在其公版线路的设计上,Intel公司建议设计业者可采用特定的逻辑芯片来实现。另外,由于AMD 2017AM4处理器平台所要求的DDR4SDRAM的电源时序较为单纯,故在其公版线路的设计上,AMD公司建议设计业者可采用电路群(discrete circuit)来实现。然而,针对不同的处理器平台,设计业者势必得准备不同的电路器件(例如上述的特定的逻辑芯片以及电路群器件),如此一来,将会增加备料上的复杂度与成本。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种存储器电源时序控制芯片,可相容于多种处理器平台,故可降低电路设计业者的开发时间,还可降低电路设计业者在备料上的复杂度与成本。
本实用新型的存储器电源时序控制芯片包括多个输入接脚、平台选择电路、多个电源时序电路、输入选择电路、输出选择电路以及多个输出接脚。此些输入接脚用以接收对应于各处理器平台的多个控制信号。平台选择电路用以提供至少一选择信号以指示存储器电源时序控制芯片使用在此些处理器平台中的一选定处理器平台。此些电源时序电路的每一者用以依据此些控制信号而产生此些处理器平台的其中一者的多个电源开关信号。输入选择电路耦接到此些输入接脚以接收此些控制信号,耦接到平台选择电路以接收选择信号,且根据选择信号而将此些控制信号传送至此些电源时序电路的其中一者。输出选择电路耦接到平台选择电路以接收选择信号,耦接到此些电源时序电路以接收此些电源时序电路的每一者的此些电源开关信号,且根据选择信号而选择此些电源时序电路的其中该者的此些电源开关信号。此些输出接脚耦接到此些输出选择电路,并输出所选择的此些电源开关信号以控制此选定处理器平台的存储器的电源时序。
在本实用新型的一实施例中,平台选择电路包括:至少一搭接接脚,其中至少一搭接接脚用以搭接至不同的电压位准而产生不同的至少一选择信号。一次性可编程储存器或是暂存器,用以储存以及提供至少一选择信号。
在本实用新型的一实施例中,平台选择电路包括一次性可编程储存器或是暂存器,用以储存以及提供所述至少一选择信号。
在本实用新型的一实施例中,多种处理器平台包括超微2017AM4处理器平台以及英特尔2016KabyLake处理器平台或英特尔2015SkyLake处理器平台,且存储器包括第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器DDR4SDRAM电路。
在本实用新型的一实施例中,电源时序包括DDR4SDRAM电路的VPP电源、VDD电源或VDDQ电源以及VTT电源的供电顺序。
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