[实用新型]一种用于晶体硅的制绒槽有效
申请号: | 201621162507.8 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN206541840U | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体 制绒槽 | ||
1.一种用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:包括依次排列的金属催化刻蚀槽(1)、多孔硅清洗槽(2)和扩孔槽(3);所述多孔硅清洗槽为耐碱腐蚀的清洗槽;
所述扩孔槽之后还依次包括第二多孔硅清洗槽(5)、第二金属离子清洗槽(6)和氧化层清洗槽(7)。
2.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述多孔硅清洗槽和扩孔槽之间还设有第一金属离子清洗槽(4)。
3.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化刻蚀槽为金属催化制绒槽;
或者,所述金属催化刻蚀槽包括沿晶体硅的操作方向排列的金属附着槽和催化制绒槽。
4.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化制绒槽还包括位于其中的冷却装置和恒温装置。
5.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属附着槽和催化制绒槽均还包括位于其中的冷却装置和恒温装置。
6.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化制绒槽,或者所述金属附着槽和催化制绒槽均为耐酸腐蚀、耐氧化腐蚀的清洗槽。
7.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述扩孔槽为耐酸、耐氧化腐蚀的清洗槽。
8.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述每两个相邻槽之间还设有水洗槽(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的