[实用新型]一种用于晶体硅的制绒槽有效

专利信息
申请号: 201621162507.8 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN206541840U 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 邹帅;王栩生;邢国强 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 晶体 制绒槽
【权利要求书】:

1.一种用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:包括依次排列的金属催化刻蚀槽(1)、多孔硅清洗槽(2)和扩孔槽(3);所述多孔硅清洗槽为耐碱腐蚀的清洗槽;

所述扩孔槽之后还依次包括第二多孔硅清洗槽(5)、第二金属离子清洗槽(6)和氧化层清洗槽(7)。

2.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述多孔硅清洗槽和扩孔槽之间还设有第一金属离子清洗槽(4)。

3.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化刻蚀槽为金属催化制绒槽;

或者,所述金属催化刻蚀槽包括沿晶体硅的操作方向排列的金属附着槽和催化制绒槽。

4.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化制绒槽还包括位于其中的冷却装置和恒温装置。

5.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属附着槽和催化制绒槽均还包括位于其中的冷却装置和恒温装置。

6.根据权利要求3所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述金属催化制绒槽,或者所述金属附着槽和催化制绒槽均为耐酸腐蚀、耐氧化腐蚀的清洗槽。

7.根据权利要求1所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述扩孔槽为耐酸、耐氧化腐蚀的清洗槽。

8.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:所述每两个相邻槽之间还设有水洗槽(8)。

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