[实用新型]晶圆均匀加热装置有效
申请号: | 201621164118.9 | 申请日: | 2016-11-01 |
公开(公告)号: | CN206194704U | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 胡东辉;郭剑飞;陈林;姚建强;杨富池;李旭明;邢耀淇;赵轶 | 申请(专利权)人: | 杭州长川科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310000 浙江省杭州市滨江区江淑*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 均匀 加热 装置 | ||
1.一种晶圆均匀加热装置,包括:吸盘,加热器;其特征是,所述的吸盘设有若干个同轴设置的功率密度区域;位于外侧的功率密度区域的功率密度大于位于内侧的功率密度区域的功率密度;加热器包括:上端与吸盘下端贴合且连接的安装盘,由发热线盘绕构成且位于安装盘下侧的发热盘,压住发热盘且与吸盘下端连接的压盘;发热盘的相邻两圈发热线的间距由中心到外周逐渐变小;发热盘的功率由中心到外周逐渐变大。
2.根据权利要求1所述的晶圆均匀加热装置,其特征是:所述的功率密度区域有四个:位于中心的圆形功率密度区域和三个环形功率密度区域;圆形功率密度区域的外径与相邻的一个环形功率密度区域的外径之比为1:0.7至1:0.8;位于内侧的环形功率密度区域的外径与相邻的位于外侧的环形功率密度区域的外径之比为1:0.7至1:0.8;发热盘对应圆形功率密度区域的发热线圈数与对应相邻的一个环形功率密度区域的发热线圈数之比为1:1.5至1:3.75;对应位于内侧的环形功率密度区域的发热线圈数与对应相邻的位于外侧的一个环形功率密度区域的发热线圈数之比为1:1.3至1:2.4。
3.根据权利要求2所述的晶圆均匀加热装置,其特征是:所述的吸盘直径为305mm;圆形功率密度区域的外径为74mm;三个从吸盘中心向外依次排列的环形功率密度区域的外径为164mm、228mm和298mm;发热线的材料为玻纤发热线,发热线的直径为3mm,发热线的阻值为0.6Ω/m;与圆形功率密度区域对应的发热盘的发热线圈数为2圈,对应三个从中心向外依次排列的环形功率密度区域的发热线圈数为3圈、4圈和7圈;圆形功率密度区域的功率密度为0.8W/cm²,三个从吸盘中心向外依次排列的环形功率密度区域的功率密度依次为1.2W/cm²、2.0W/cm²和2.5W/cm²。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆均匀加热装置,其特征是:所述的安装盘上端设有:与圆形功率密度区域的外周相对的内环槽,与位于圆形功率密度区域外的第一个环形功率密度区域的外周相对的中环槽,与位于第一个环形功率密度区域外的第二个环形功率密度区域的外周相对的外环槽,若干个设于中环槽和外环槽之间且沿圆周分布的径向内槽,若干个设于外环槽外侧且沿圆周分布的径向外槽;径向内槽的内端与中环槽连通;径向内槽的外端与外环槽连通;径向外槽的内端与外环槽连通。
5.根据权利要求1或2或3所述的晶圆均匀加热装置,其特征是:所述的吸盘侧围设有若干个温度传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造