[实用新型]一种单管IGBT用固定压块、组合及功率变频器有效
申请号: | 201621166958.9 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN206135731U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 鹿道增;曹华 | 申请(专利权)人: | 华远电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 固定 组合 功率 变频器 | ||
技术领域
本实用新型属于变频器晶管安装结构技术领域,具体涉及一种单管IGBT用固定压块、组合及功率变频器。
背景技术
变频器行业中,小功率变频器逆变部分的功能主要由IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)来实现。目前IGBT器件有两种封装方式:单管方式和模块方式。随着行业的发展,变频器价格竞争日趋激烈,单管IGBT因为其成本优势,得到越来越多的应用。
在实际的应用中,单管IGBT在工作中会产生大量的热量,需要借助散热器将其热量散发掉,因此需要将单管IGBT紧贴散热器,来达到最佳的散热效果。
行业中常用的单管IGBT按照尺寸分有220和247两种,如图1和图2所示,其中220单管IGBT为阶梯状单管IGBT1a,247单管IGBT为平板状单管IGBT1b。
如图3所示,现有技术中,一般采用金属压条2通过螺丝将单管IGBT(此处以阶梯状单管IGBT为例)固定在散热器3a上。这种方式有如下缺陷:
一、单管IGBT无法完全固定、精确定位,尤其在紧固螺丝的过程中,很容易偏移;
二、金属压条与其上电路板距离过近,电气防护受到影响;
三、防护性差,当单管IGBT失效时,通常会有高温气流从内部喷射出来,喷射到内部其他器件上,甚至引起其他电器件起火,存在安全隐患;
四、占用空间大,螺钉固定在两个单管IGBT之间,因此单管IGBT的间距无法做到最小,使得散热器尺寸增大,增加成本;
五、220和247两种尺寸的单管IGBT固定用金属压条不能共用。
实用新型内容
针对现有的单管IGBT固定方式中存在无法精确定位、存在安全隐患和占用空间大的问题,本实用新型提供了一种单管IGBT用固定压块、组合及功率变频器,该单管IGBT用固定压块结构简单,能够有效对单管IGBT进行定位,且电气防护性强。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案如下:
提供一种单管IGBT用固定压块,包括用于连接散热器的固定部和用于固定单管IGBT的安装部,所述安装部与固定部分别形成在该固定压块的两端,所述安装部具有相对的第一表面及第二表面,所述第一表面上设有第一容置槽,所述第一容置槽靠近所述固定部的一端封闭,所述第一容置槽远离所述固定部的一端开口,所述第一容置槽的内设有朝向所述第一表面延伸的第一定位柱。
进一步的,所述第一容置槽靠近所述固定部的一端设有台阶块,所述台阶块的高度小于第一容置槽的深度,所述台阶块上设有第一盲孔,所述第一定位柱的一端连接在所述第一盲孔的底部,另一端伸出第一盲孔,并与第一表面平齐。
进一步的,所述第一定位柱沿其长度方向开有第一通槽,所述第一通槽沿第一定位柱的轴向贯穿所述第一定位柱,所述第一通槽沿第一定位柱的径向贯穿第一定位柱的外周侧壁。
进一步的,所述安装部的第二表面设有第二容置槽,所述第二容置槽靠近所述固定部的一端封闭,所述第二容置槽远离所述固定部的一端开口,所述第二容置槽的内部设有朝向所述第二表面延伸的第二定位柱。
进一步的,所述第二容置槽内设有第二盲孔,所述第二定位柱一端连接在所述第二盲孔的底部,另一端伸出第二盲孔,并与第二表面平齐。
进一步的,所述第二定位柱沿其长度方向开有第二通槽,所述第二通槽沿第二定位柱的轴向贯穿所述第二定位柱,所述第二通槽沿第二定位柱的径向贯穿第二定位柱的外周侧壁。
进一步的,所述固定部具有与第一表面同侧的第三表面以及与第二表面同侧的第四表面,第三表面和第四表面分别设有第一固定槽和第二固定槽,所述第一固定槽和第二固定槽之间设置第一隔板分隔,所述第一隔板上开有安装孔。
进一步的,所述第一固定槽远离所述安装部的端部设有第一凸台,所述第二固定槽远离所述安装部的端部设有第二凸台。
进一步的,所述固定压块为一体成型的塑胶件。
一种单管IGBT用固定压块组合,包括多个如上所述的固定压块,所述多个固定压块并排设置,且相邻的固定压块之间设有可弯折断裂的连接件。
一种功率变频器,包括散热器、单管IGBT和如上所述的固定压块,所述固定压块的固定部连接在散热器上,所述单管IGBT上设有定位孔,所述单管IGBT容纳于所述第一容置槽内,且所述第一定位柱插接于单管IGBT上的定位孔中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华远电气股份有限公司,未经华远电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621166958.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种安全型光伏逆变器
- 下一篇:一种模块化调试电源