[实用新型]一种低Smile的半导体激光器封装结构有效
| 申请号： | 201621172042.4 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN206116863U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王卫锋;陶春华;梁雪杰;刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 smile 半导体激光器 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：包括热沉和激光芯片；所述热沉相互对应的两个面上分别设置有热膨胀系数与激光芯片匹配的应力缓释层，激光芯片键合于前述的应力缓释层其中之一上。
2.根据权利要求1所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述应力缓释层的热膨胀系数取值范围为5~10ppm/K。
3.根据权利要求2所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述的应力缓释层为铜钨、或者石墨铜、或者石墨铝、或者石墨烯、或者铜金刚石，或者陶瓷覆铜结构，或者陶瓷镀铜结构。
4.根据权利要求1所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述热沉相互对应的两个面的应力缓释层为对称结构。
5.根据权利要求4所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述应力缓释层覆于部分热沉表面，或者覆盖热沉全部的表面。
6.根据权利要求1所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述的应力缓释层与热沉为一体结构。
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