[实用新型]一种太阳能电池片刻蚀设备有效
申请号: | 201621178676.0 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN206505890U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 柯希满;童锐;杨大谊 | 申请(专利权)人: | 太极能源科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 215333 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 刻蚀 设备 | ||
技术领域
本实用新型属于光伏领域,涉及一种太阳能电池片刻蚀设备。
背景技术
图1显示为现有太阳能电池片工艺流程,包括如下步骤:清洗制绒、扩散制结、边缘刻蚀/背抛光/去除磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝网印刷/烧结。其中,边缘刻蚀/背抛光/去除磷硅玻璃通过RENA刻蚀实现。
如图2所示,在太阳能电池片的RENA刻蚀过程中,依次会通过蚀刻槽、第一水槽、碱洗槽、第二水槽、酸洗槽、第三水槽。其中蚀刻槽中的溶液由硝酸、氢氟酸和硫酸的混合液组成,由于混合液的表面张力,电池片漂浮在蚀刻槽溶液上,进行边缘刻蚀及背面抛光,以去除电池片边缘及背面的PN结;第一水槽进行循环喷淋水洗以去除刻蚀后吸附在电池片上的刻蚀液;碱洗槽采用KOH溶液,通过KOH喷淋(两面喷淋)将电池片表面从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去,并去除电池片上的多孔硅及杂质;第二水槽进行循环喷淋水洗以去除吸附在电池片上的碱液;酸洗槽采用氢氟酸溶液,通过HF循环冲刷喷淋去除电池片正面的磷硅玻璃;第三水槽进行循环喷淋水洗去除吸附在电池片上的HF酸液。
现有的RENA刻蚀过程在采用第一水槽对电池片进行清洗时会使其含氮,这个过程会产生大量含氮废水。如果含氮废水没有得到好的处理,就会污染水资源。由于含氮废水的处理成本相对较高,会提高了电池片的生产成本。
因此,如何提供一种新的太阳能电池片刻蚀设备,以在避免使用硝酸的情况下完成太阳能电池片刻蚀的工艺要求(边缘刻蚀/背抛光/去磷硅玻璃),杜绝含氮废水的产生,成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池片刻蚀设备,用于解决现有技术中硝酸处理晶体硅后会产生含氮废液,容易污染水资源,废液处理成本高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种太阳能电池片刻蚀设备,所述太阳能电池片刻蚀设备包括:
第一碱槽;所述第一碱槽用于容置第一KOH溶液,在电池片处于漂浮状态时对电池片背面进行抛光,以去除所述电池片背面的PN结;
第一水槽;所述第一水槽用于去除所述电池片上残留的第一KOH溶液;
氢氟酸槽;所述氢氟酸槽用于去除所述电池片正面的磷硅玻璃;
第二水槽;所述第二水槽用于去除所述电池片上残留的氢氟酸溶液。
可选地,所述太阳能电池片刻蚀设备包括:
第一碱槽;所述第一碱槽用于容置第一KOH溶液,在电池片处于漂浮状态时对电池片背面进行抛光,以去除所述电池片背面的PN结;
第一水槽;所述第一水槽用于去除所述电池片上残留的第一KOH溶液;
第二碱槽;所述第二碱槽用于采用第二KOH溶液喷淋去除所述电池片正面及背面的污染物;
第三水槽;所述第三水槽用于去除所述电池片上残留的第二KOH溶液;
氢氟酸槽;所述氢氟酸槽用于去除所述电池片正面的磷硅玻璃;
第二水槽;所述第二水槽用于去除所述电池片上残留的氢氟酸溶液。
可选地,所述第一碱槽中设有若干平行排列的用于承载电池片并传送电池片的滚轮;所述滚轮包括主体轴及若干环绕所述主体轴表面的用于在传动过程中将所述第一KOH溶液带至所述电池片背面的凸纹。
可选地,各凸纹之间分立设置且平行排列。
可选地,所述凸纹的径面与所述主体轴的轴线垂直。
可选地,相邻凸纹之间的距离为1-10毫米。
可选地,所述凸纹的高度范围是1-6毫米。
可选地,所述凸纹的横截面为三角形、矩形、梯形或锯齿形。
可选地,所述第一水槽包括上水刀及下水刀,以对电池片两面进行喷淋。
可选地,所述第二水槽均包括上水刀及下水刀,以对电池片两面进行喷淋。
可选地,所述氢氟酸槽包括上水刀及下水刀,以采用氢氟酸溶液对电池片两面进行喷淋。
如上所述,本实用新型的太阳能电池片刻蚀设备,具有以下有益效果:使用本实用新型的太阳能电池片刻蚀设备进行电池片刻蚀,可以取消硝酸的使用,从而不需产生含氮废水,减少了对水资源的污染,并降低了废液处理成本,同时还具备RENA刻蚀所具有的边缘刻蚀、背抛光、去PSG(磷硅玻璃)的作用,其中所述边缘刻蚀通过激光刻蚀法实现。
附图说明
图1显示为现有太阳能电池片工艺流程
图2显示为现有太阳能电池片的RENA刻蚀过程所采用的刻蚀设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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