[实用新型]一种过充保护电路有效
申请号: | 201621181497.2 | 申请日: | 2016-11-03 |
公开(公告)号: | CN206471848U | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 王卫东 | 申请(专利权)人: | 深圳市沃特玛电池有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于电路设计,尤其涉及一种分流式防止充电电池过充的过充保护电路。
背景技术
当今社会,可循环利用的二次电池使用越来越广泛。特别是能量密度高的锂电池、磷酸铁锂电池等越来越受消费者喜爱。这些电池在刚生产出来以后,首先要充电,使电池内的活性物质激活,这一过程叫做化成。
用于化成的设备对刚生产出的电池的充电方式通常有两种:第一种:多个单体电池串联,共用一个大功率充电电源一起充电。此方式的优点:电路简单,成本低,适合大规模生产;缺点:不能保证每个电池充满电,而且容易造成单个电池过充电。第一种方式一般应用于镍镉、镍氢电池的化成。第二种:每个单体电池单独使用一个小功率充电电源。此方式的优点:能保证每个电池充满电,而且不会过充电;缺点,电路复杂,成本高,大规模扩产耗资大。多在锂电池的化成过程中使用。
因为镍镉、镍氢电池在生过程中对环境有污染,丢弃的镍镉、镍氢电池对环境有污染,部分已经禁止生产。另一方面,锂电池,特别是磷酸铁锂电池的需求越来越大,一些镍镉、镍氢电池生产厂家逐渐转向生产锂电池,造成应用于镍镉、镍氢电池的化成设备的大量闲置。
上述第一种充电方式,采用一个恒流源对多个电池串联充电,通过设置总的充电电压和充电时间保证电池不会过充电。但是这样的充电方式对需要化成的充电电池具备一致性,才能够完成化成过程。但是在实际的生产过程中,电池存在较大的差异,上述第一种充电方式进行充电时容易造成部分电池过充电,当电池出现过充电时,将破坏电池内部的化学成分,对电池造成不可逆的伤害。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种过充保护电路,旨在解决现有技术中采用一个恒流源对多个电池串联充电容易造成部分电池过充电的问题。
本实用新型是这样实现的,一种过充保护电路,包括采样单元、与所述采样单元相连接的分流单元;
所述采样单元,用于采集待充电电池两端的电压,当所述待充电电池两端的电压达到预置电压值,发送分流信号给所述分流单元;
所述分流单元,用于当接收到所述分流信号后,对所述充电电流进行分流,以停止对所述待充电电池充电。
进一步地,所述采样单元包括第三电阻、第四电阻、第六电阻和第一开关;
所述第三电阻的第一端连接所述待充电电池的正极,所述第三电阻的第二端通过所述第六电阻连接至所述充电电池的负极;所述第四电阻的第一端连接所述第三电阻的第一端,所述第四电阻的第二端连接所述第一开关的第一端;所述第一开关的第二端连接所述第三电阻的第二端,所述第一开关的第三端连接所述待充电电池的负极。
进一步地,所述第一开关为三端可调分流基准源;
所述三端可调分流基准源的阴极连接所述第四电阻的第二端,所述三端可调分流基准源的阳极连接所述待充电电池的负极,所述三端可调分流基准源的参考端连接所述第三电阻的第二端。
进一步地,所述分流单元包括第二电阻、第五电阻、第七电阻、第二开关和第三开关;
所述第二开关的第一端连接所述待充电电池的正极,所述第二开关的第二端通过所述第五电阻连接至所述第一开关的第一端,所述第二开关的第三端通过所述第七电阻连接至所述待充电电池的负极;所述第三开关的第一端通过所述第二电阻连接至所述待充电电池的正极,所述第三开关的第二端连接所述第二开关的第三端,所述第三开关的第三端连接所述待充电电池的负极。
进一步地,所述第二开关为PNP型三极管;
所述PNP型三极管的发射极连接所述待充电电池的正极,所述PNP型三极管的基极通过所述第五电阻连接至所述第一开关的第一端,所述PNP型三极管的集电极通过所述第七电阻连接至所述待充电电池的负极。
进一步地,所述第三开关为N沟道MOS管;
所述N沟道MOS管的栅极连接所述PNP型三极管的集电极,所述N沟道MOS管的源极连接所述待充电电池的负极,所述N沟道MOS管漏极通过所述第二电阻连接至所述待充电电池的正极。
进一步地,所述过充保护电路还包括与所述分流单元相连接的所述指示单元;
所述指示单元,用于在检测到所述分流单元在执行分流操作时指示所述待充电电池已完成充电。
进一步地,所述指示单元包括第一电阻和发光二极管;
所述第一电阻的第一端连接所述待充电电池的正极,所述第一电阻的第二端通过所述发光二极管的正极;所述发光二极管的负极连接所述N沟道MOS管的漏极。
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