[实用新型]一种太阳能电池板封装结构有效
申请号: | 201621182875.9 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN206271717U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 李卓敏 | 申请(专利权)人: | 深圳市光瑞实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京众元弘策知识产权代理事务所(普通合伙)11462 | 代理人: | 孙东风 |
地址: | 518107 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池板 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电池板封装结构,尤其涉及一种太阳能电池板封装结构。
背景技术
目前,太阳能电池组件普遍的封装方式有两种,即
一、钢化玻璃+EVA+CELL+EVA+PET/TPT+铝框。
此种封装笨重且具有不可弯曲性,而不可弯曲和笨重缺点大大增加了运输及组装难度及成本,尤其是在行业上比较流行的政府工程和屋顶上的太阳能系统。
二、PET+2EVA+CELL+3EVA+PET/TPT。
此种封装方式虽然突破了笨重、弯曲的难题,但是PET材质封装的组件的寿命、透光率、耐候性及耐压都是影响大面积使用的明显弊端。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的弊端,提供一种太阳能电池板封装结构。
本实用新型所述的太阳能电池板封装结构,包括太阳能晶体单晶硅片,还包括由上至下顺序设置于太阳能晶体单晶硅片之上的乙烯—四氟乙烯共聚物层和乙烯—醋酸乙烯共聚物层;以及
还包括由上至下顺序设置于太阳能晶体单晶硅片之下的第一乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第二乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第一聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层、第三乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第二聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层、第四乙烯—醋酸乙烯共聚物层、和聚对苯二甲酸乙二醇酯层。
本实用新型所述的太阳能电池板封装结构中,所述乙烯—四氟乙烯共聚物层的厚度为50微米。
本实用新型所述的太阳能电池板封装结构中,所述乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第一乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第二乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第三乙烯—醋酸乙烯共聚物层、及第四乙烯—醋酸乙烯共聚物层的厚度均为0.3毫米至0.5毫米之间。优选的,所述乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第一乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第二乙烯—醋酸乙烯共聚物层、第三乙烯—醋酸乙烯共聚物层、及第四乙烯—醋酸乙烯共聚物层的厚度均为0.4毫米。
本实用新型所述的太阳能电池板封装结构中,所述太阳能晶体单晶硅片的厚度为0.15毫米至0.25毫米之间。优选的,所述太阳能晶体单晶硅片的厚度为0.2毫米。
本实用新型所述的太阳能电池板封装结构中,所述第一聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层、第二聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层的厚度为0.25毫米至0.35毫米之间。优选的,所述第一聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层、第二聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层的厚度为0.3毫米。
相对于现有技术中的太阳能电池板封装技术,本实用新型的转化效率突出。具有良好的耐热、耐化学性、良好的绝缘性、和耐候性,其机械性能突出;而且,具有轻便、可弯曲性,具有优良的耐候性、延展性、化学性能及电绝缘性能,能明显提高使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型所述太阳能电池板封装结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
如图1所示,本实用新型所述的太阳能电池板封装结构,包括太阳能晶体单晶硅片3,还包括由上至下顺序设置于太阳能晶体单晶硅片3之上的乙烯—四氟乙烯共聚物层1和乙烯—醋酸乙烯共聚物层2;以及,还包括由上至下顺序设置于太阳能晶体单晶硅片3之下的第一乙烯—醋酸乙烯共聚物层4、第二乙烯—醋酸乙烯共聚物层5、第一聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层6、第三乙烯—醋酸乙烯共聚物层7、第二聚酯薄膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯层8、第四乙烯—醋酸乙烯共聚物层9、和聚对苯二甲酸乙二醇酯层10。
本发明所述的太阳能电池板封装结构中,先将太阳能晶体单晶硅片3以并联或串联形式结合组成需要的功率组件,再将前述各层材料叠放在一起,然后在高温高压设备上压合成产品。相对于现有技术中的太阳能电池板封装技术,本实用新型的转化效率突出。其中,采用乙烯—四氟乙烯共聚物层作为封装材料的最表层,透光率可到97%以上,而且其韧性强,在使用过程中保持了良好的耐热、耐化学性、良好的绝缘性、和耐候性,其机械性能突出,拉伸强度可达50MPa。另外,整体封装材料除了单晶硅片是硬质之外,全部封装保护材质都使用薄膜层,具有轻便、可弯曲性,具有优良的耐候性、延展性、化学性能及电绝缘性能,能明显提高使用寿命。
具体而言,本实用新型所述的太阳能电池板封装结构中,所述乙烯—四氟乙烯共聚物层的厚度为50微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的