[实用新型]释放焊垫等离子体的PID测试结构有效
| 申请号： | 201621184400.3 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN206422042U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 释放 等离子体 pid 测试 结构 | ||
1.一种释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：
位于同一层且平行排列的多个晶体管器件，所述晶体管器件的衬底电连接至第一测试焊垫，所述晶体管器件的源极电连接至第二测试焊垫，所述晶体管器件的漏极电连接至第三测试焊垫，所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连接；
每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线，且所述第一子金属线与所述第二子金属线通过顶层金属层电连接在一起，其中第一子金属线电连接至各自层的天线端，第二子金属线均电连接至第四测试焊垫；
位于最底层的所述第一子金属线的一端电连接与其同层的所述第二子金属线，另一端电连接一保护二极管。
2.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述晶体管器件的结构至少包括衬底、形成于衬底两侧的源极和漏极、形成于源极和漏极之间衬底表面的栅介质层、以及形成于所述栅介质层表面的多晶硅栅极。
3.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，每一层的所述第二子金属线和所述第一子金属线的长度比的范围是1000～2000。
4.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述第一测试焊垫、所述第二测试焊垫、所述第三测试焊垫以及所述第四测试焊垫均为铝焊垫或铜焊垫。
5.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述第四测试焊垫的厚度大于所述第一测试焊垫、所述第二测试焊垫和所述第三测试焊垫的厚度。
6.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述衬底通过第一金属插塞电连至第一测试焊垫。
7.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述源极通过第二金属插塞电连至第二测试焊垫。
8.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述漏极通过第三金属插塞电连至第三测试焊垫。
9.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述栅极通过第四金属插塞与不同层的金属线一一对应电连。
10.根据权利要求1所述的释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述第二子金属线通过第五金属插塞与所述顶层金属层电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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