[实用新型]准推挽源级跟随器

说明书

技术领域

本实用新型涉及模拟集成电路技术领域，具体为一种准推挽源级跟随器。

背景技术

随着光纤通信的发展，使得光纤传输的速度越来越快，对于LDD（激光器驱动器）的速度要求也是越来越快。源极跟随器是LDD的重要组成部分，主要是为驱动器提供高带宽速度。

根据不同的应用条件，LDD需要工作在不同的电源电压下。而传统的电路工作在不同的电源电压下带宽速度是变化的，在高电压下带宽很高，而在低电压下带宽变小，导致LDD的工作速度不稳定。

如图1所示，传统的准推挽源极跟随器，电路的带宽为：

电路中的晶体管M5和晶体管M6栅极电压是随电压变化的。电压升高时，通过晶体管M5和晶体管M6的电流也增大，导致了晶体管M5和晶体管M6跨导gm5的增大。同时，流过晶体管M1和晶体管M2的电流也增大，跨导gm1也增大，而gm1-gm5也增大，电路的带宽也增大，结果如图3所示。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种准推挽源级跟随器，其电路结构简单，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性。

其技术方案是这样的：一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，所述晶体管M1的漏极连接所述晶体管M3的源极、所述晶体管M5的源极，所述晶体管M2的漏极连接所述晶体管M4的源极、所述晶体管M6的源极，所述晶体管M3的栅极和所述晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，所述晶体管M3的漏极和所述晶体管M4的漏极相连后接地，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的栅极相连，所述晶体管M5的栅极与所述晶体管M6的源极相连，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。

采用本实用新型的电路结构后，在栅极和漏极相互交叉的晶体管M5和晶体管M6下面加入电流管M7，电流管M7的栅极另外接一个参考电压Vref2，在不同的电源电压下电流管M7通过的电流是相同的，通过晶体管M5和晶体管M6的电流也是相同的，因此晶体管M5和晶体管M6的跨导gm5不变，流过晶体管M1和晶体管M2的电流也不变，晶体管M1和晶体管M2的跨导gm1也恒定，因此，gm1- gm5也不变，电路的带宽稳定不变，实现了在不同的电源电压下电路带宽的稳定，并且电路结构简单。

附图说明

图1为现有的准推挽源极跟随器；

图2为本实用新型电路结构示意图；

图3为现有的准推挽源极跟随器的电路带宽示意图；

图4为本实用新型的电路带宽示意图。

具体实施方式

见图2，图4所示，一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，晶体管M1的源极和晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，晶体管M1的漏极连接晶体管M3的源极、晶体管M5的源极，晶体管M2的漏极连接晶体管M4的源极、晶体管M6的源极，晶体管M3的栅极和晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，晶体管M3的漏极和晶体管M4的漏极相连后接地，晶体管M5的源极与晶体管M6的栅极相连，晶体管M5的栅极与晶体管M6的源极相连，晶体管M5的源极与晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，晶体管M5的漏极与晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。